从工业技术成熟度看,LPCVD技术最成熟,无论是量产设备成熟度,还是实验室验证程度上看,LPCVD 技术相比其他两条路线更为成熟;而 PECVD 技术仅次于其后;从单面沉积角度看,LPCVD 沉积技术是无方向性的,导致严重绕镀,而 PVD 技术可实现单面沉积,无绕镀现象;从原位掺杂角度看,PECVD最适合原位掺杂,而 LPCVD、PVD 技术原位掺...
LPCVD 绕镀是在电池正面、侧面全部镀上SiO2膜跟掺杂多晶硅膜,有效产能减半、且清洗可能导致电池损坏;3)石英管维护问题,LPCVD内石英管上全部沉积上所镀的膜层,需要定期停机替换、清洗,带来石英管替换成本、以及机床维护费用;PECVD 工艺成熟度仅次于 LPCVD 路线,其优点明显:1)可以加入磷烷PH3...
从工业技术成熟度看,LPCVD技术最成熟,无论是量产设备成熟度,还是实验室验证程度上看,LPCVD 技术相比其他两条路线更为成熟;而 PECVD 技术仅次于其后;从单面沉积角度看,LPCVD 沉积技术是无方向性的,导致严重绕镀,而 PVD 技术可实现单面沉积,无绕镀现象;从原位掺杂角度看,PECVD最适合原位掺杂,而 LPCVD、PVD 技术原位掺...
LPCVD 技术相比其他两条路线更为成熟;而 PECVD 技术仅次于其后;从单面沉积角度看,LPCVD 沉积技术是无方向性的,导致严重绕镀,而 PVD 技术可实现单面沉积,无绕镀现象;从原位掺杂角度看,PECVD最适合原位掺杂,而 LPCVD、PVD 技术原位掺杂能力较弱,即掺杂难度大、或者掺杂后浓度不达标;...
(三) 总结:TOPCon 的工艺路线,PECVD有望成为主流 综上, TOPCon 电池各膜层制备方法:对于正面 Al2O3膜层,主要的制备方法为PECVD、ALD。实际生产中,ALD 制备 Al2O3,膜层致密性、均匀性最好,为最佳制备方法,代表企业是江苏微导、理想、松煜。正反面 SiNx 膜的制备方法,工艺成熟,实际生产中主要是用PECVD 法,...