二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry , SIMS)是一种基于离子束与样品表面相互作用的质谱分析技术,通过检测离子源(一次离子)轰击样品表面所产生的离子碎片(二次离子),可以获知样品表面的元素及分子组分信息。通过测量二次离子的质量来识别样品表面...
飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)是一种基于离子束与样品表面相互作用的高灵敏度表面分析技术,兼具元素、同位素及分子信息的检测能力。
二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS)是一种基于离子束与样品表面相互作用的质谱分析技术,通过检测离子源(一次离子)轰击样品表面所产生的离子碎片(二次离子),可以获知样品表面的元素及分子组分信息 4. 送样要求 注意事项:TOF-SIMS是一种极其表面灵敏的分析技术,样品在加工制备、保存运输过程中应避免表...
飞行时间-二次离子谱仪(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,简称TOF-SIMS)TOF-SIMS测试技术可测试表面薄膜,样品界面的详细元素和分子信息还可以提供完整的三维分析。 TOF-SIMS测试在半导体领域应用广泛,如表面痕量金属的检测和定量、工艺过程的有机污染、超浅层深度剖析、超薄介电层分析、界面/bond pad/t...
高灵敏度:TOF-SIMS可检测到极小量的样品,灵敏度可达ppb(十亿分之一),能够分析复杂的多层材料。 化学信息丰富:该技术能够提供样品表面的化学成分、分子结构及其空间分布的详细信息,帮助科研者深入理解材料的性能。 快速度和高分辨率:TOF-SIMS具备快速分析的能力,且分辨率高达几纳米,是传统分析技术的有效补充。
飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS),也叫静态二次离子质谱,是飞行时间和二次离子质谱结合的一种新的表面分析技术。TOF-SIMS具有高分辨、高灵敏度、精确质量测定等性能,是目前高技术领域广泛使用的分析技术。 此外,TOF-SIMS是非常灵敏的表面分析手段。其凭借质谱分析、二维成像分析、深度元素分析等功能,广泛应用于医学、...
检测中心TOF-SIMS 相关参数: 检测元素范围:H-U 痕量分析灵敏度高:0.1-1ppm原子浓度 主要功能: 表面元素、同位素、分子式的表征 线/面扫描(2D成像)得到成分分布像 深度剖析和3D成像 真空转移盒 温馨提示📢:材料与器件检测技术中心所有...
TOF-SIMS(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)是通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。 TOF-SIMS具有极高分辨率,可以提供表面,薄膜,界面以至于三维样品的元素、分子等结构信息,其特点在二次离子来...
TOF-SIMS概述 飞行时间二次离子质谱仪(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry ,简称TOF-SIMS)是通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。