因为X-ray的能量比较高，激发的是内层电子；所以XPS Binding Energy数据中会会注明Spectral line。即（如...
图1. MX/CZS复合材料、MXene和CZS的(a) Zn 2p,(b) Cd 3d,(c) S 2p,(d) Ti 2p,(e) C 1s高分辨率XPS谱图 由于真实反应在光照下进行,故进一步采用原位光照XPS用于探索CZS和Ti3C2MXene之间的电荷转移。图2展示了原位光照XPS的结果,与黑暗条件相比,Cd 3d、Zn 2p、S 2p峰的结合能在光照条件下分别正向...
图1.CdSe-MX复合材料与纯CdSe的(a) C 1s、(b) Cd 3d、(c) Se 3d、(d) Ti 2p高分辨率XPS谱图 由于真实反应体系在光照下进行,故进一步采用原位光照XPS用于探索CdSe和Ti3C2MXene之间的电荷转移,结果见图2。与黑暗条件相比,Cd 3d5/2的结合能在光照条件下正向移动0.4 eV,Se 3d 峰的结合能在光照条件下也...
为了证实配位键的形成，图1h中给出了O 1s 的X射线光电子能谱(XPS)，在FMs上观察到由儿茶酚-钛配位键产生的C-Ti-Oₓ键存在于531.0 eV。此外，与TNFs相比，FMs中的一级胺峰的结合能下降了0.5eV，表明活性表面和Ti₃C₂Tₓ纳米片的终端(-O和-F)之间存在氢键(图1i)。此外，一个新的N-Ti峰...
镍基材料表面元素组分及化学价态分析通过X射线光电子能谱(XPS)在Kratos Analytical Axis UltraDLD光谱仪上获得,衍射源为单色X射线Al Kα射线(1486.6 eV)。所有元素结合能的峰位置均参考284.8 eV处的C 1s峰。Quantachrome Autosorb-1-C-TCD分析仪(BET);Varian 710-OES电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-AES);电化学...
图3是钴卟啉的,o 2!3,2和N 1#的XPS谱.在图3(a)中,未经热处理的,oTPP在780 eV处出现对应于,o2+的特征峰,这进一步说明,o2+已取代卟啉中的两个质子,经600 C热处理的,oTPP 的,o2!3,2峰有向低结合能方向扩展的趋势,认为此温度下(o)N4键可能处于断裂的临界状态, 800C热处理后,oTPP在776 eV处出现新...
XPS 实验 以 A1 为激发源 = 4 6 6eV 以 C s 为内标 其结合能为 2 4 60eV. . 实验方法 Pt-Ti /Ti 电极的制备方法 , 将已抛光的 Ti 电极在 5mmo1/L~2PtC16+0 5mo1/L~2S 4 溶液 中于 0 20V 阴极还原以沉积 Pt 沉积量通过沉积时间控制 . 将所得 Pt/Ti 电极在 ~ 为 4 0 的 0 5...
研究团队还深入探究了CsPbBr3薄膜的表面化学状态,通过高分辨率X射线光电子能谱(XPS)分析Cs 3d、Pb 4f、Br 3d和F 1s的能谱特征。DTPT修饰后,Cs 3d峰的位置发生了移动,这归因于DTPT中Cs+空位与氨基官能团之间的强烈相互作用。同时,Pb 4f和Br 3d峰也...
4.Dept.ofPhysicalScienceandTechnology,QiluNormalUniversity,Jinan250013,China) Abstract:The(Bi。88Ceol2)2Ti2O7thinfilmsweregrownonthePSi 100 substratebythechemicalsolution decomposition (CSD)method.ThestructuralcharacteristicsincludingthechemicalpropertiesandUV VlSabsorp— tionspectrawerestudiedbyXPSandUV—VISspe...
图2. Ti3C2Tx-半胱氨酸的形态和结构表征。a-c) XRD、HR-TEM、HAADF-STEM和相应EDS映射,包括C、Ti、F、N和S元素。d-e) Ti3C2Tx和Ti3C2Tx-半胱氨酸的接触角和FTIR光谱。f-i) C1s、N1s、Ti2p和S2p的高分辨率XPS光谱。 图3. Ti3C2Tx和Ti3C2Tx-半胱氨酸体系的DFT计算。a) Ti3C2Tx-半胱氨酸的电荷密...