解:T=300K,KT=0.026eV。硅 n_i=1.5*10^(10)cm^(-3) ,所以,由式(3.4-10)和式(3.4-11)得到 n=n_1exp((E_1-E_1)/(KT))=1.5*10^(10)*exp((0.26)/(0.026))=1.5*10^(10)*2.2*1 n=n1exp KT =1.5 ×101 ×2.2 ×104=3.3 ×1014(cm3) p=n_1exp((E_1-E_E)/(KT))=1.5*10...
当T=300K时,确定硅中Ec和Ec+kT之间的能态总数? 相关知识点: 试题来源: 解析 确定300K时的态密度(对能量的函数)N(E)=(2*mc)^(2/3)/(2*pi^2*hbar^3)*(E-Ec)^(1/2),然后对其从Ec到Ec+kT积分即可如果你要求的的Ec到Ec+kT之间的电子数,那n(E)=N(E)*f(E),f(E)是费米分布,然后一...
当T＝300K时，根据k（k＝1．38×10J／K）和q（q＝1．6×10C）的数值可求得kT／q≈0．026V。该电压与温度有关，用VT表示。在二极管和三极管的研究中，该物理量可以表示扩散系数和迁移率的内在联系，也表示载流子在半导体中定向运动的难易程度。VT＝Dp／μp＝Dn／μn。
在T=300K时，为个1.5×1010个/cm−3点个赞，接着看如果要计算的话可以直接拿出推导的公式，对于...
计算公式如下：ni²＝NcNvexp［－Eg/kT］查表得Nc＝2.8*10∧19㎝-3Nv＝1.04*10∧19㎝-3Eg＝...
为了保证玻耳兹曼分布有效,半导体内的费米能级在n型半导体中必须低于施主能级3kT。如果T =300K时的掺磷n型硅,求使得硅中玻耳兹曼分布有效的掺磷浓度是多少(假定杂质完全电离)?如果是T =300K时的掺锑n型硅,其最大掺锑浓度又是多少?说明两者浓度上限不同的原因(锑在硅中的电离能为0.039eV)。 相关知识点: 试...
根据经典力学,热平衡电子气中电子的平均能量为3kT/2,计算T=300K时,电子的平均能量(用ev表示). 答案 仅供参考:1、金属导体中自由电子热运动的平均速率 因为自由电子可以在金属晶格间自由地做无规则热运动,与容器中的气体分子很相似,所以这些自由电子也称为电子气.根据气体分子运动论,电子热运动的平均速率v=((8k...
根据气体分子运动论,电子热运动的平均速率v=((8kT)/(πm))1/2式中k是玻耳兹常数,其值为1.38×10-23焦/开,m是电子质量,大小为0.91×10-30千克,T是热力学温度,设t=27℃,则T=300K,代入以上公式可得v=1.08×105米/秒. 2、金属导体中自由电子的定向移电速率 设铜导线单位体积内的...
。然后K×T，用上面算出的K乘以室温300K，就是约等于0.026电子伏特。在多粒子系统的情形下，质心系中的粒子彼此之间可能会存在相对运动，并有可能存在一种或多种基本相互作用。这时粒子的动能和力场的势能会增大系统的总能量，使之大于所有粒子的静止质量之和，这部分能量也对系统的不变质量有贡献。
解得T=450KT=450K>400K 说明加热到400K时活塞不会到最右端,所以水银柱高度差为0; 加热到540K,C滑到最右端,从450K→540K A室气体发生等容变化. 对A: 代入得 解得P′=91.2cmHg 故U形管内两边水银面的高度差为h′=P′-P=91.2-76=15.2cm ...