系列 STD140N6F7 晶体管类型 1 N-Channel 商标 STMicroelectronics 下降时间 20 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 68 ns 工厂包装数量 2500 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 39 ns 典型接通延迟时间 24 ns 单位重量 330 mg 可售卖地 全国 型号 STD140N6F7 PDF资料 电子管-场效应管-STD140N6...
型号 STD140N6F7 技术参数 品牌: ST 型号: STD140N6F7 数量: 5000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 80 A Rds On-漏源导通电阻: 3.1 mOhm...
型号 STD140N6F7 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,...
型号 STD140N6F7 PDF资料 电子管-场效应管-STD140N6F7-ST/意法-21+-TO-252.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上...
STD140N6F7产品信息: 描述 该N-沟道功率MOSFET利用 ripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。 所有功能 处于市面上最低的R(DS(on)) 行列 出色的品质因数(FoM) 较低的 C(rss)/C(iss) 比值使得其具有更强的抗EMI能力 ...
STD140N6F7 制造商: M/A-COM Technology Solutions 功能描述: RF & MICROWAVE PRODUCT SOLUTIONS 6.04 - Bulk 供应商 企业: 深圳市中联芯电子有限公司 商铺: 进入商铺 联系人: 陈楠 手机: 18025360035 询价: 电话: 0755-82725207/18025360035 传真:
STD140N6F7 10000 ST(意法半导体) TO-252 1936+ ¥20.0000元10~49 个 ¥15.0000元50~99 个 ¥10.0000元>=100 个 深圳市欧亚佳电子有限公司 3年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 534B1101JC元器件供应商-锐单电子-品质好-型号全 -- -- -- -- 面议 深圳美客数码电子有限公司 -- 立即...
部件名 STD140N6F7 下载 STD140N6F7 下载 文件大小 678.28 Kbytes 页 13 Pages 制造商 STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] 网页 http://www.st.com 标志 功能描述 N-channel 60 V, 3.1 m(ohm) typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package ...
STD140N6F7 New original DPAK TO-252 MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V 80A 140N6F7 No reviews yet Shenzhen Jinlibo Electronic Technology Co., Ltd3 yrsCN Previous slideNext slide Previous slideNext slideKey attributes Industry-specific attributes Model Number original Type...
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