Winbond（华邦）的SLC NAND Flash产品凭借高性能、高可靠性和广泛的应用场景，不仅在技术创新上取得突破，还在市场应用中展现出显著优势，进一步巩固了其在全球存储领域的领先地位。为了提升存储密度，华邦从46纳米制程转向1x纳米，并采用3D NAND结构，持续优化技术性能。同时，华邦推出了高性能接口技术，如 QspiNAND 和 ...
自研Flash芯片 探索多元选择 FORESEE 2xnm SLC NAND Flash系列提供SPI(x1/x2/x4)和PPI(x8)两种主流接口选项，并提供2Gb、4Gb和8Gb等多种容量选择，支持-40~85℃至-40~105℃的宽温工作环境，确保在极端环境下也能稳定运行。此外，WSON8、TSOP 48、BGA 48和BGA 63的多样化封装形式，为不同应用场景提供了灵活的...
2024年上半年,公司基于2xnm推出新一代2Gbit SPI NAND Flash芯片产品,接口速度高达166MHz,并支持DTR(双倍传输)功能,实现更高的数据传输速率。基于SLC NAND Flash产品,公司亦利用多芯片封装技术将SLC NAND 存储颗粒与LPDDR 存储颗粒集成封装,拓展...
2024年上半年，江波龙继续深耕存储芯片领域，推出了新一代2Gbit SPI NAND Flash芯片，采用2xnm工艺，接口速度高达166MHz，并支持DTR双倍传输功能，进一步提升数据传输效率。此外，公司还成功将SLC NAND存储颗粒与LPDDR存储颗粒通过多芯片封装技术集成，推出了多种规格的NAND based MCP产品，进一步丰富了产品线。值得一提的...
同时,当前主流的SPI NAND Flash主频规格为120MHz,未来随着AI及边缘计算的规模化发展,133MHz和166MHz的更高主频规格将有望成为市场“新宠”。 FORESEE团队深刻理解客户需求,为了满足市场对读取性能的需求,FORESEE 2Gb SPI NAND Flash产品支持DTR模式,在不升频的情况下,支持时钟上升沿及下降沿接收地址信息并传送数据,并...
自研Flash芯片 探索多元选择 FORESEE 2xnm SLC NAND Flash系列提供SPI(x1/x2/x4)和PPI(x8)两种主流接口选项,并提供2Gb、4Gb和8Gb等多种容量选择,支持-40~85℃至-40~105℃的宽温工作环境,确保在极端环境下也能稳定运行。此外,WSON8、TSOP 48、BGA 48和BGA 63的多样化封装形式,为不同应用场景提供了灵活的集成...
说到Raw NAND发展史,其实早期的Raw NAND没有统一标准,虽然早在1989年Toshiba便发表了NAND Flash结构,但具体到Raw NAND芯片,各厂商都是自由设计,因此尺寸不统一、存储结构差异大、接口命令不通用等问题导致客户使用起来很难受。为了改变这一现状,2006年几个主流的Raw NAND厂商(Hynix、Intel、Micron、Phison、Sony、ST)...
东芯半导体立足中于小容量存储芯片市场,SLC NAND Flash 存储容量可提供从1Gb至8Gb覆盖市场主流容量需求的产品,灵活选择SPI/PPI类型接口的数据传输方式,可搭配 3.3V/1.8V双电压,满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。 01 SPI NAND Flash 单芯片设计的串行通信方案 ...
Raw NAND是相对于Serial NAND而言的,Serial NAND即串行接口的NAND Flash,而Raw NAND是并行接口的NAND FLASH,早期并行接口通信数据率是明显高于串行通信数据率的,但随着串行通信速度越来越快,并行接口速度优势显得不那么重要了,反而因信号线太多导致设计成本较高(PCB走线复杂)显得有点不合潮流。但其实这么说对Raw NAND...
目前公司已有512Mb、1Gb、2Gb、4Gb、8Gb共5种容量自研 SLC NAND Flash 存储芯片产品，分别采用4xnm、2xnm工艺且均已实现量产，为客户提供多种电压、多种封装、多种接口的SLC NAND Flash存储解决方案。2024年上半年，公司基于2xnm推出新一代2Gbit SPI NAND Flash芯片产品，接口速度高达166MHz，并支持DTR（双倍传输...