在微系统领域中,“接触工程”(Contact Engineering)可显著提升电子器件的性能和功能,但通常伴随着高成本及复杂制造过程。从“器件上工程”(On-Device Engineering)这一全新的角度出发,本研究开发了一种原位、可逆、全器件尺度的可重构Van der Waals接触,采用具有结构超滑特性的石墨-MoS2界面,成功构建了p型Schottky接触,...
6) Schottky barrier contact 肖特基势垒接触补充资料:肖,N. 英国气象学家。1854年 3月 4日生于英国伯明翰,1945年3月 23日卒于伦敦。1877～1906年在剑桥大学讲授物理学。1879年起受英国政府气象委员会委托,研究空气中水汽含量测定法。1899～1905年任英国政府气象委员会秘书。1905～1920年任英国气象局局长。1920...
2-1. Schottky contact (Schottky junction) Φm > Φn Let the work function of a metal be Φm and that of an n-type semiconductor be Φn. When Φm > Φn, a Schottky junction is formed when the n-type (or p-type) semiconductor is in contact with the metal. The Schottky junction ...