ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非...
FLASH属于广义上的ROM,和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,相对于EEPROM的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本。上M的ROM一般都是FLASH。而EEPROM则按字节操作。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。 NOR Flash:NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取...
它于EEPROM的最大区别是,FLASH按扇区(block)操作,而EEPROM按照字节操作。FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因此适合用于做程序存储器。 RAM (Random Access Memory)随机访问存储器 RAM又称随机存取存储器,存储单元的内容可按照需要随机取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关。
总结起来,ROM、Flash存储器和RAM都是常见的存储器类型,每种存储器在工作原理、功能和应用方面存在差异。ROM是只读存储器,无法修改和擦除其中的数据;Flash存储器是可擦写的非易失性存储器,适合于频繁更新和存储数据;RAM是易失性存储器,用于临时存储和快速访问数据。这些存储器类型在电子设备中扮演着重要的角色,各自适...
Flash ROM见NOR Flash部分。RAM RAM有两个大类，静态RAM和动态RAM。板载RAM SRAM(Static Random Access Memory)，即静态随机存取存储器(六个晶体管存储一位数据，功耗大，密面积大)。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。优点，速度快(目前读写速度最快的存储设备)，不必配合...
NOR FLASH:它的特点就是可以在芯片内执行,应用程序可以直接在闪存中运行,不必把代码读入系统RAM。在1~16M下的小容量有很高的的成本效益,但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。他的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样。 NAND FLASH:Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,...
RAM是随机访问的临时存储器,用于存储临时数据和程序指令。 Flash存储器是可擦写和可重写的存储器,用于存储非易失性数据。 DDR是一种高速内存技术,提供更高的数据传输速率和带宽。 eMMC是一种集成了闪存存储器和控制器的存储解决方案,广泛应用于嵌入式系统中。
计算机存储器可以简单地分为三种主要类型:ROM(只读存储器),RAM(随机存取存储器)和闪存(Flash Memory)。它们在存储数据的方式、读写速度、易用性和擦写特性方面存在很大的区别。下面是对这些存储器类型的解析,还附有相应的代码示例。 1. ROM(只读存储器): ...