QDR-II与QDR架构的主要差异包括增加了DLL,以及额外的半个周期延迟(最初的QDR为1个周期,QDR-II为1.5个周期)。这些变化的结果是使时钟至数据有效时间Tco在167MHz的频率条件下从3.0ns缩减至0.45ns,使数据有效窗口增大,从而提高系统时序性能。另一个结果是出现一个用于实现可靠数据获取的源同步回送时钟(Echo Clock)。
(QDR®) II+ 会有 2.5 个 周期的读延迟 ■当 DOFF 置为低电平时,其工作方式与 QDR I 器件类似,会有 1 个周期的读延迟 ■ 供应 ×8,×9 和×36 配置 ■ 完整的数据连贯性,能够提供最新数据 ■ 内核 VDD = 1.8 V± 0.1 V ; ...
QDR II同步静态储存器被认为非常适合用来搭建网络接口设备中的各种硬件链表、查询表以及数据缓冲器等诸如此类的玩意。工程师们承认,在网络通讯设备中,储存器并非关键芯片,但如果没有使用好它,再先进的网络处理器也无法把其性能发挥到极至。Mathew Arcoleo则进一步指出:“每一代新的存储器技术架构的推出都对系统设计工程...
QDR®-II, QDR-II+, DDR-II, and DDR-II+ Design Guide AN4065 Author: Girish K Associated Project: No Related Application Notes: None Cypress Quad Data Rate™ (QDR®)-II, QDR-II+, DDR-II, and DDR-II+ SRAMs address the high-bandwidth...
首先看接口的时序图 时序图,表明了 2 字突发 QDR II 存储器接口上的并发读 / 写操作。时钟有三组差分时钟,其中C时钟是发送寄存器的发送时钟,K时钟是目的寄存器用的采样时钟,CQ时钟是经过QDR器件延时,跟输出Q同步的时钟。 在K时钟的前半个周期,DDR 地址总线允许读地址传输给存储器;在时钟的后半个周期,DDR 地...
赛普拉斯半导体公司 (Cypress Semiconductor Corp.) 宣布其已开始提供业界首款Quad Data Rate II +(四倍数据率II+)和DDRII+(双倍数据率II+)SRAM系列器件样片。该新型存储器芯片提供了全球最高密度和最高带宽,比现有的QDRII 和DDRII产品的系统级带宽提高50%之多。这些新型
QDR-II dual-port devices deliver 250-MHz clock speedIsmini Scouras
1,与QDR/DDR系列SRAM相似,RLDRAM II架构也具有单独I/O(SIO)和共用I/O(CIO)版本。SIO RLDRAM II架构允许像QDR那样同时进行读和写操作,而CIO架构则与DDR SRAM相似。 2,虽然具有一种SRAM型寻址功能,但RLDRAM也可以采用传统的DRAM多路复用寻址电路。该功能使得RLDRAM在寻址方面具有了与老式控制器设计的后向兼容性,并...
QDR II布线指南 PCB布局指南 表格7-4概括了QDR II和QDR II SRAM常用走线布局指南。以下布线指南包括若干+/-基于长度的规则。如果你不能模拟PCB实施的实际延时特性,这些基于长度的指南可以用来得到一阶时序的近似值(first order timing approximations),但不包括串扰幅度。Altera提出当你模拟产品具体实施时,应获得...
摘要:赛普拉斯(Cypress)宣布Altera旗下的28奈米Stratix V GX现场可编程闸阵列(FPGA)开发套件,选用赛普拉斯QDR II(Quad Data Rate II)及QDRII+静态随机存取记忆体(SRAM)。赛普拉斯的SRAM让Stratix V FPGA开发套件能实现高达100Gbit/s的线路速率。 Stratix V GX FPGA开发套件提供完整的设计环境,协助客户进行A ...