材料参数 材料 弹性模量密度 泊松比 相对介电常数 PZT-5H 45 7.50E+03 0.265 1700 铁镓 60GPa 7.8g/cm3 铁镓材料 应变值(10-6)200-300 相对磁导率60-200 杨氏模量 （GPa）70-100 居里温度 （℃）500 响应速度（μs）<1 磁致伸缩材料E Young’smodulus ν ...
Abaqus 模拟PZT-5H 材料参数表格 弹性系数Density(密度)kg/m^3 7500 PZT5H在ABAQUS中的输入（3方向为极化方向）(23轴 Engineeringconstants（1Gpa=10^9pa)E1 60.61Gpa E2 60.61Gpa E3 48.31Gpa v12 0.289 v13 0.512 v23 0.512 G12 23.5Gpa G13 23.0Gpa G23 23.0Gpa 数学 1 ABAQUS表示 11...
此外,随着PZT含量的增加,晶粒尺寸和密度均增加,从而获得了良好的电学性能。拉曼光谱还表明3D打印陶瓷形成了稳定的PZT相。此外,还制作了超声换能器阵列,以评估3D打印的PZT陶瓷具有潜在应用。 6.文章链接 Chen Y, Bao X, Wong C M, Chen J,Wu H,...
氧化铝 异型 宜兴市山佳电子科技有限公司 2年 查看详情 ￥60.00/件 广西南宁 持盈新材料 碳化硼陶瓷屏蔽片 密度低 耐撞击 核辐射反应堆中子吸收用 黑灰色 新材料 武汉持盈新材料科技有限公司 3年 没有更多相关货源,您可以全网发布 “ 陶瓷片pzt-5h ” 询价单,快速获得更多供应商报价 全网询价 ...
研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律.结果表明,PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场E_F=14.7±3.2 kV/cm.如外加电场E<EF,则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹,若保持恒电场E,电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂,滞后断裂的门槛电场E_(DF)= 9.9 kV/cm.如E<EDF,在恒电场...
为保证计算过程趋于稳定、结果更加合理,对计算模型进行网格收敛性分析,最终确定PZT-5H压电陶瓷、钢片和有机玻璃横截面的网格密度为0.25 mm2/格,PZT-5H压电陶瓷厚度方向的网格密度为0.01 mm2/格,整个靶板共有76 800个单元,柱状铝合金弹丸共有20 160个单元,图7为弹靶的网格划分结果。 表1 PZT-5H压电陶瓷及...
结果表明, PZT-5H导电 缺口发生电致断裂的临界电场E F = 14.7±3.2 kV/cm. 如外加电场E F , 则在导电缺口前端瞬时产生电 致微裂纹, 若保持恒电场E, 电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂, 滞后断裂的门槛电场E DF = 9.9 kV/cm. 如E DF , 在恒电场作用下电致微裂纹也能缓慢扩展, 但试样不发生...
·LAsO 溶液中,于室温 23 12 PZT5H陶瓷的电阻率为 318×10 ·cm,处于 下电解充 H20h,电流密度分别为 005、05、5、50 Ω -2 绝缘体范围内;随着 H含量的升高,电阻率逐渐下 和400mA·cm ;无电极试样在 450℃、04MPa的 -6 H 中气相充氢20h,在H 气氛下冷却至室温;取出 降,当H的质量分数达到 112×...
结果表明, PZT-5H导电 缺口发生电致断裂的临界电场EF = 14.7±3.2 kV/cm. 如外加电场EEth后, 随 E 升高, 裂尖发射 的电荷量增加, KEc 升高, 从而总电场强 度因子 K t E 以 及裂纹扩展动力GI随外加电场升高而升高. 如E = EF, 这时电场引起的GI远大于 2γ, 故裂纹一旦形核就会 快速扩展, 导致...