主要适用于吹风筒等空间要求苛刻的应用,功率范围为100W以下。 PQFN8*9 IPM特点与优势: 其它封装模块在PCB散热方面较差,而耗散功率的唯一方法是通过一个外部散热器实现,但这却增加了成本并带来了振荡和其它的物理压力; PQFN IPM电流能力还取决于PCB设计,特别是铜板厚度、铜盘区域和层数,并最终取决于最大可允许的PCB...
封装: PQFN-8 批号: 21+ 数量: 6000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PQFN-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 120 V Id-连续漏极电流: 114 A Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms ...
批号 PQFN-8 数量 150000 制造商 ON Semiconductor 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 Power-33-8 通道数量 2 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 25 V Id-连续漏极电流 88 A Rds On-漏源导通电阻 7.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压 12 V Vgs th...
PQFN-8 FDMC4D9P20X8 With High Quality Chip Transistor MOS New&original Price Asked Salesman On The Same Day Shall Prevail No reviews yet Shenzhen Instantaneous Core Sheng Electronics Co., Ltd.Multispecialty supplier3 yrsCN Previous slideNext slide Previous slideNext slideKey attributes Other ...
FDMS86350贴片PQFN-8L效应N-CH80V198A全新原装86350集成电路(IC) FDMS86350贴片PQFN-8L效应N-CH80V198A全新原装86350集成电路(IC)FDMS86350 贴片PQFN-8L 场效应管 N-CH 80V 198A 全新原装 86350 运赢鑫电子 进入店铺 收藏 分享 商品详情 商品详情 查看完整图片详情...
PQFN-8 数量 90000 QQ 355623059 制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench®, SyncFET™ FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Ta),22A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),36W(Tc) 工作温...
11月28日中午12:00整,开封高中东校区社团招新活动在操场举行,共有18个社团组织参与,类型涵盖文学类、体育运动类、文艺艺术类、兴趣爱好类等多个方面。各学生社团负责人利用宣传海报和符合社团特点的特色道具认真布置宣传摊位,耐心、仔细地向前来咨询的同学们讲解社团基本情况、活动内容及报名要求。高一年级同学在经过了...
封装: QFN 数量: 39922 QQ: 2881817139 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-56-8 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 13 A, 25 A Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms, 2.6 mOhms Vgs -...
marking丝印SOT-553封装,marking丝印DFN-2封装,marking丝印DFN-3封装,marking丝印DFN-4封装,marking丝印QFN-4封装,marking丝印QFN-6封装,marking丝印QFN-8封装,marking丝印QFN-10封装,marking丝印QFN-12封装,marking丝印QFN-14封装,marking丝印DFN-12封装,marking丝印DFN-14封装,marking丝印DFN-16封装,marking丝印BGA-4...
比赛第一节,哈登反击接球出手3分,麦克丹尼尔斯追防将球封盖。卧龙凤雏?布克乔治年薪相加近1亿,合计只得23分,命中率惨淡 来聊聊球吧 5小时前 冲上热搜!肖战谈自己五年间的变化 九派新闻 6小时前 领克再次冲击豪华,这次的“杭州湾揽胜”怎么样? 科技刀哥 7小时前 暂无...