型号 AM7411P 工作温度 标准 封装/规格 QFN8(5X6) 包装 编带 最小包装量 3000 产品特性 大功率 封装 QFN8(5X6) 包装方式 编带 可售卖地 全国 芯片 台积电 工艺 长电封测代工 数量 2500 产品保证 原装 产地 中国 批号 22+ FET类型 增强型 安装方式 表面贴片 品牌 微碧 价格说明 价格:...
qfn封装一站式服务定制化封装设计小批量,高可靠,万应 -- -- -- -- 面议 成都万应微电子有限公司 -- 立即询价 FDMS86181 场效应管 ON(安森美) 封装PQFN-8 批次24+ FDMS86181 20000 ON(安森美) PQFN-8 24+ ￥1.5000元1~9 个
封装: PQFN-8 批号: 21+ 数量: 12000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-33-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 56 A Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms Vg...
封装: QFN8 批号: 2022+ 数量: 50000 制造商: ONSemiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/箱体: Power-56-8 通道数量: 1Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 150V Id-连续漏极电流: 4.4A RdsOn-漏源导通电阻: 46mOhms Vgs-栅极-源...
封装 PQFN-8 批号 最新 数量 10000 FET类型 N 漏源电压(Vdss) 1 漏极电流(Id) 1 漏源导通电阻(RDS On) 1 栅源电压(Vgs) 1 栅极电荷(Qg) 1 反向恢复时间 1 最大耗散功率 1 配置类型 1 工作温度范围 1 安装类型 1 可售卖地 全国 型号 IRFH7084 主营产品: 各种原装进口元...
PQFN8*9 IPM特点与优势: 其它封装模块在PCB散热方面较差,而耗散功率的唯一方法是通过一个外部散热器实现,但这却增加了成本并带来了振荡和其它的物理压力; PQFN IPM电流能力还取决于PCB设计,特别是铜板厚度、铜盘区域和层数,并最终取决于最大可允许的PCB温度; ...
阿里巴巴MDU1511 PQFN5*6 QFN8 笔记本芯片 贴片MOS场效应管,集成电路(IC),这里云集了众多的供应商,采购商,制造商。这是MDU1511 PQFN5*6 QFN8 笔记本芯片 贴片MOS场效应管的详细页面。品牌:原装现货,规格型号:新年份*QFN-8。我们还为您精选了集成电路(IC)公司黄页、行
封装 PQFN-8 数量 90000 QQ 1414240391 制造商 ON Semiconductor 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 Power-33-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 20 A Rds On-漏源导通电阻 2.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 20 V Vgs th-栅源...
封装 PQFN-8 数量 90000 QQ 355623059 描述 MOSFET N-CH 30V POWER33 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 12 周 详细描述 表面贴装型-N-通道-30V-20A(Ta)-40A(Tc 数据列表 FDMC7660S; 标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 有源 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列 PowerTrench...
封装: PQFN-8 批号: 24+ 数量: 15000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 9.5V 长度: 5.5mm 宽度: 6.7mm 高度: 1.8mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...