解析 由扩散电势的表达式可知,扩散电势VD与PN结两边半导体材料的掺杂浓度ND、NA,以及该材料的本征载流子浓度ni有关,而本征载流子浓度ni又与材料的禁带宽度和环境温度有关,并且不同的材料又具有不同的禁带宽度,所以扩散电势还与材料的种类和温度有关。反馈 收藏 ...
百度试题 题目当PN结中扩散运动和漂移运动达到动态平衡时,内建电场两边的电势,N区 比P区高。 A.正确B.错误相关知识点: 试题来源: 解析 A 反馈 收藏
PN结的扩散电势与哪些因素有关? 参考答案: 由扩散电势的表达式可知,扩散电势VD与PN结两边半导体材料的掺杂浓度ND、N... 点击查看完整答案您可能感兴趣的试卷你可能感兴趣的试题 1.问答题 写出下列状态下连续性方程的简化形式:(1)无浓度梯度、无外加电场、有光照、稳态;(2)无外加电场、无光照等外因引起载流子的...
2008年10月,15家主流媒体共同发起的征集“改革开放30周年十大流行语”揭晓,分别是“下海”、“下岗再就业”、“农民工”、“不管白猫黑猫,捉到老鼠就是好猫”、“上网”、①、“北京奥运”、“炒股”、②和“雄起”。其中①和②两条是对其余8条产生决定性影响和准确的概括,它们应该是( )
在PN结中,P区的电势比N区___(低);未加外部电压时,PN结中空穴的扩散运动方向是从___(),空穴的漂移运动方向是从___(),参与扩散运动的载流子数量___(等于)参与漂移运动的载流子数量。相关知识点: 试题来源: 解析 高P 区到 N 区 N 区到 P 区 大于 反馈 收藏 ...
pn结击穿共有三种:___。判断题1、pn结的内建电势决定于掺杂浓度、、材料禁带宽度和工作温度。〔√﹚2、pn结的势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化,说明它们是可
平衡PN结形成过程中A.N区的空穴向P区扩散B.N区的电势比P区高C.N区的电子向P区漂移D.N区的电势能比P区高
关于PN结的形成,下列说法正确的一项是:A.因电场作用所产生的运动叫扩散运动B.在PN结中,P区的电势高于N区。C.由于浓度差而产生的运动叫漂移运动D.PN结也称为空间电
PN结反偏时,___。A.N区接电源正极,P区接电源负极。B.N区电势高于P区。C.空间电荷区变厚。D.多子的扩散几乎被阻断,电流完全由少子的漂移提供。
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