打开库管理器并将NMOS_IV_3重命名为NMOS_IV。 另外,将sim_NMOS_IV_3重命名为sim_NMOS_IV 现在打开NMOS_IV的原理图并更改NMOS符号,如下所示。 移动符号,然后添加导线和标签,如下所示。 按照上述步骤来仿真此示意图(使用sim_NMOS_IV单元)也可能很好,以确保我们仍然可以获得NMOS的IV曲线。 打开提取的视图并执行...
启动ADE，并设置模型库选择AMI06 NMOS型号。添加变量VGS并设置值为0。选择分析并设置参数以观察MOSFET IV曲线。确保已选择绘图和保存。模拟状态后，进行参数分析并查看MOSFET IV曲线。重复此过程以模拟PMOS设备。在布局阶段，创建NMOS_IV_3布局视图，实例化宽6um，长600nm的nmos，进行DRC检查，并添加连接...
这要从二极管的反向特性着手来理解这些疑问,下图是一个二极管的IV曲线: 由图可知,二极管反向偏压后,从0到-200mV,其反向电流随反向电压VF的(绝对值)增大而增加,近似计算其阻抗为8Mohm左右。从-200mV开始,VF(绝对值)增加,其反向电流一直维持在-7nA左右。 反向偏压一直增加,这个值基本不变。一直到规格书上标称的V...
但是PMOS也有其独到优势,正是因为载流子迁移率低,PMOS的漏电流要小于NMOS,尤其是ESD器件普遍尺寸较大,在某些应用场景下不得不考虑ESD防护电路所带来的漏电问题。PMOS的Snap-Back较弱,虽然会造成ESD鲁棒性较差,但是会提升Latch-up的鲁棒性,其IV曲线不会进入Latch-up区内。而且GDPMOS的寄生电容要优于GGNMOS,对信号完整...
PMOS的Snap-Back较弱,虽然会造成ESD鲁棒性较差,但是会提升Latch-up的鲁棒性,其IV曲线不会进入Latch-up区内。而且GDPMOS的寄生电容要优于GGNMOS,对信号完整性更为友好。 三.PMOS在ESD防护中的应用。 PMOS最简单的ESD应用便是GDPMOS和GCPMOS了,但是随着应用场合的多元化,ESD设计要求也愈发复杂,传统结构已经难以满足...
这要从二极管的反向特性着手来理解这些疑问,下图是一个二极管的IV曲线: 由图可知,二极管反向偏压后,从0到-200mV,其反向电流随反向电压VF的(绝对值)增大而增加,近似计算其阻抗为8Mohm左右。 从-200mV开始,VF(绝对值)增加,其反向电流一直维持在-7nA左右。反向偏压一直增加,这个值基本不变。一直到规格书上标称的...
NMOS管I/V特性曲线 这是NMOS管的I/V特性曲线,我们不难看出, 当VGS < Vth时,导电沟道未形成,故处于截止区。 当VGS >Vth, 且0 < VDS < VGS-Vth时,器件工作在线性区(三极管区)。 当VGS >Vth, 且VDS > VGS-Vth时,沟道电流ID基本不随VDS的变化而变化。此时器件工作在饱和区。可以看到器件工作在饱和区时...
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图二这种偏置就不好，尤其虚线4直接让T2管进入线性区，这就说明T1管小信号不能太大使T1的iv 曲线变成...
可能还会有疑问,二极管有反向截止特性,为什么没有阻隔电压?有没有办法使VB=0V?这要从二极管的反向特性着手来理解这个问题。我们用multisim做了个仿真,下图是一个二极管的IV曲线: 由图可知,二极管反向偏压后,从0到-200mV,其反向电流随反向电压VF的(绝对值)增大而增加,近似计算其阻抗为8Mohm左右。从-200mV开始,VF...