NMOS和PMOS由于电气特性的差异,它们的阈值电压和驱动能力也不尽相同,这也是造成在输出驱动设计中采用PMOS作为上管、NMOS作为下管的原因之一。 二、CMOS技术优势 互补对称性 CMOS技术利用了NMOS和PMOS的互补特性,通过将PMOS和NMOS配置成互补对称的方式,可以有效降低功耗,在两个MOS管之间实现快速且高效的电压转换。当输出...
NMOS直接驱动,可以通过PWM控制器或者接地来实现。这个电路的开关操作发生在器件的源极端子上,这是因为漏极连接到了正直流输入电压轨。它同样是相同的钳位电感应开关,不过这里要注意,栅极驱动电流在源极端子上是无法返回接地点。相反,它必须流经连接到器件源极的负载。在非连续电感器电流模式下,栅极充电电流必须流...
高低端驱动:NMOS..当涉及到使用NMOS和PMOS进行高端驱动时,我们可以考虑一个简单的情况:使用MOSFET来控制一个LED的开关。 情景:LED开关控制 当涉及到使用NMOS和PMOS
NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为510V(G电位比S电位高);而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例。 NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接地(为固定值),只需将G极电压固定值6V即可导通;若使用NMOS当上...
所以PMOS做高侧开关时,一般搭配一个小电流的NMOS或者NPN管,来做驱动电平转换。 如下图,NMOS - Q3负责做电平转换,来驱动Q2 - PMOS的开关。 当CONTROL 为0时,Q3关断,Q2的G极电平被拉高为VCC,Q2 - PMOS关断,负载停机。 当CONTROL 为1,Q3开通,Q2的G极电平被拉低为0,Q2 Vgs<导通阀值,PMOS开通,负载工作。
下图为,TI官网的栅极驱动器选型表。 2、NMOS做电源开关(高端驱动,稳定,性能好) 上面的用法,是用NMOS将元件的GND浮空,并通过开通GND实现电路负载的开关。 一般的电路这样用可能没什么问题,但有的就不行了,例如需要低侧电流采样的电机驱动电路。 NMOS的高端栅极驱动,大体分为两种。
在这个例子中,尽管PMOS在低端驱动情况下更适合,但由于导通电阻较大,可能导致LED亮度较低。相比之下,使用NMOS进行高端驱动可以更有效地控制LED的亮度,因为NMOS的导通电阻较低,能够提供足够的电流给LED。 做提示:PMOS在高端驱动中更方便,但由于其导通电阻相对较大,可能导致LED亮度较低价格较高,相比之下,使用NMOS进行高...
NMOS直接驱动,可以通过PWM控制器或者接地来实现。 这个电路的开关操作发生在器件的源极端子上,这是因为漏极连接到了正直流输入电压轨。它同样是相同的钳位电感应开关,不过这里要注意,栅极驱动电流在源极端子上是无法返回接地点。 相反,它必须流经连接到器件源极的负载。 在非连续电感器电流模式下,栅极充电电流必须流...
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
当然,你可以做一个与NMOS管驱动能力相同的PMOS管,但需要的器件面积可能是NMOS管的2~3倍,这就是钱呐,而且器件面积会影响导通电阻、输入输出电容,而这些参数会影响电路的延迟。 同样,在相同的尺寸条件下,PMOS管沟道导通电阻比NMOS要大一些,这样开关导通损耗相应也会比NMOS管要大一些。