相比于PMN-PT,PIN-PMN-PT铁电单晶有更高的铁电-铁电相变温度(>90 ℃)和矫顽场,表现出更好的稳定性,更具有应用价值。目前大尺寸PMN-PT基单晶主要采用坩埚下降法生长,生长方法和PMN-PT基体系的固溶体特质决定了坩埚下降法生长PMN-PT基单晶时组分偏析不可...
该方法通过在氧气氛围下对pin-pmn-pt单晶进行高温退火处理以减少氧空位等缺陷,采用缓慢降温方法减小内应力以降低缺陷与畴壁之间的钉扎效应,然后采用高温极化工艺处理晶体并在极化温度对晶体进行二次退火,以将缺陷偶极方向转向至整体极化方向,最终获得更大的剩余极化值和更高的压电性能。
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摘要 本发明公开了一种基于PIN‑PMN‑PT三元系压电单晶的一维超声相控阵探头及其制备方法,该相控探头包括从下至上依次层叠的下电极、1‑3复合的铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列、上电极阵列和柔性电路板;上电极阵列的阵元与其压电单晶阵列的阵元一一对应,柔性电路板上的印刷电路通道与上电极阵列...
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通过将三元体系单斜相结构弛豫铁电单晶铌铟镁酸铅–钛酸铅[Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3(PIN–PMN–PT)]的准同型相界组分0.24PIN–0.43PMN–0.33PT单晶沿[011]c方向极化成准单畴态,研究了该单晶的电光性能。采用改进的Mach-Zehnder干涉系统,选用波长为632.
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