4.1P-N结的形成 3 常见的太阳能电池本质是大面积的P-N结二极管。在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成PN结，如下物理过程:N型半导体 4 掺杂磷产生的自由电子 Si SPi Si Si Si Si 自由电子数为N型半导体的多数载流子，空穴为...
二极管即为半导体二极管,是由P型半导体和N型半导体两种半导体材料组成,其中二者交界处形成的结构就是P-N结。P-N结是半导体器件中最基本的结构之一,其作用是控制电子流的方向和大小。P型半导体具有正电荷载流子,N型半导体则具有负载流子,当二者连接在...
场感应结:表面沟道与衬底间形成的p-n结。 PN结二极管的分类:点接触、面接触、平面型。 (a)点接触型(b)面接触型(c)平面型(d)二极管等效符号 点接触型二极管:PN结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。 面接触型二极管:PN结面积大,用于工频大电流整流电路。 平面型二极管:往往用于集成电路制造工艺中,PN结...
根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相...
p-n结二极管由p型半导体和n型半导体通过p-n结相连接而成。在p-n结二极管中,p型半导体和n型半导体相接触时,由于n型区域电子浓度高,p型区域空穴浓度高,因此在p-n结处形成内电场,形成空间电荷区域。这个内电场阻止了电子从n型区域向p型区域移动,也阻止了空穴从p型区域向...
1)成功制作了全氧化镓单边突变同质p-n结二极管,并且详细分析了器件机理。 2)该二极管实现了4 × 104的整流比、在40 V下9.18 mΩ cm2的低导通电阻、4.41 V的内建电势和1.78的理想因子, 并在交流电压下表现出无过冲的整流特性以及长期稳定性. 本工作为氧化镓同质p-n结初窥门径,为氧化镓同质双极型器件奠定了...
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P-N结免费编辑添加义项名 B添加义项 ? 所属类别 : 其他语言相关 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶...
集成电路是由多个逻辑运算单元组成的大规模、高性能的计算模块,每一个逻辑运算单元都至少由一个或者多个pn结来组成,因此,了解pn结的工作原理及其内部的物理意义对我们理解集成电路的构造和制程工艺等相关知识至关重要。我们将从固体物理的简单知识讲起,然后概述突变型pn结的物理过程以及pn结二极管的电信号处理原理。