因此,利用Te和CN之间的协同相互作用来设计p-n异质结,以解决当前的问题,并在CO2减排领域最大限度地发挥其优势。 本文提出了一种简单的水热-煅烧串联合成策略,通过简单的气氛调制实现超小Te NPs和CN纳米片p-n异质结的制备。在氨气辅助...
光催化p-n异质结是一种在光催化领域中常用的结构,它由p型半导体和n型半导体组成,通过界面形成内建电场或电荷转移路径,有效改善材料内部光生电子和空穴的分离。这种结构可以在异质结界面形成内建电场或电荷转移路径,进一步改善光生载流子的分离问题,从而提高光催化性能。 在构建光催化p-n异质结时,需要选择合适的p型...
新安晚报 安徽网 大皖新闻讯 据中国科学技术大学官方网站消息 近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓（GaN）半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转（即双向光电流现象）。相关成果以“Bidirectional photocurrent in p–n heterojunction nanowires”为题于9月23日发表在《自然•电...
半导体p-n结,异质结和异质结构 PN结的反向电压特性及电容特性 PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,电场增强,阻止了多数载流子的扩散,而P区和N区的少数载流子电子和空穴沿反向电场运动,产生反向漏电流,由于少子是本征激发,它决定于温度而不决定于反向电压,当反向电压增大到一定程度足以把少子全部吸引过来时,电流达到恒定...
针对FeS2负极储钠过程中存在类似Na-S电池体系中多硫化物溶解造成容量衰减的问题,本论文选择极性氧化物且为n型半导体性质的二氧化钛(TiO2)作为多硫化物吸附剂,与FeS2构筑p-n异质结用于高效稳定储钠负极材料。首先通过密度泛函理论计算证明了TiO2可有效吸附多硫化钠;进一步计算发现,在FeS2和TiO2构筑的异质界面处发生了电荷重...
近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转(即双向光电流现象)。相关成果以“Bidirectional photocurrent in p–n heterojunction nanowires”为题于9月23日发表在《自然•电子学》上(Nature Electronics 2021, 4, 645–652)。这是中国科大...
在垂直异质结中,p-n型结的结构可以用于多种半导体器件,例如二极管、肖特基势垒二极管等。在这些器件中,p-n结的形成使得电荷在不同半导体区域之间流动,并产生被用于电路操作的电子流或光辐射。 垂直异质结还可以应用于太阳能电池等能源转换器件中。在这种器件中,光线在p-n型结的界面处产生电荷分离,从而产生电能。
合理设计具有快速离子动力学的p-n异质结ZnS/SnO2量子点并应用于锂/钠离子电池 第一作者:詹光浩 通讯作者:吴小慧*,黄小荥* 单位:中国科学院福建物质结构研究所,福建师范大学 【研究背景】 SnO2作为一种转化-合金型负极材料,具有理论容量高、工作电压安全、资源丰富、成本低、环境友好等优点,被认为是碱金属离子电池负...
传统半导体p-n异质结是双极型晶体管和场效应晶体管的核心结构,是现代集成电路技术的基础。同样,构建石墨烯p-n异质结也是未来发展基于石墨烯的集成电路和光电探测技术的关键。由于石墨烯材料单原子层厚度的限制,难以通过传统集成电路制造工艺中的离子注入技术,实现石墨烯材料的可控掺杂。另外,原位生长掺杂、化学修饰掺杂等...
11、的反向电压特性及电容特性 半导体同质半导体同质p-n结结,异质结的构成异质结的构成 采用不同的掺杂工艺采用不同的掺杂工艺, ,将将P P型半导体与型半导体与N N型半型半导体制造在同一块半导体上导体制造在同一块半导体上, ,在它们的交界面就构成空在它们的交界面就构成空间电荷区称间电荷区称PNPN结。结。