1、p-n结伏安特性 1.非平衡状态下的p-n结 非平衡少子边扩散边与p区的空穴复合，经过比扩散长度大若干倍的距离后，全部被复合。(1)外电压下p-n结势垒的变化及载流子的运动在一定的正向偏压下，单位时间内从n区来到pp'处的非平衡少子浓度是一定的，并在扩散区内形成一稳定的分布。n区电子向nn’漂移，越过...
对于理想的p-n结,已知p-n结两边的掺杂浓度分别为NA和ND:①如果少数载流子的扩散长度分别为Ln和Lp,试近似导出该p-n结的正向伏安特性关系;②如果p型半导体电中性
由于p-n结具有单向导电性,故二极管的正反向伏安特性相差很大,二极管的伏安特性可分三部分:①正向特性。当所加的正向电压很小时,正向电流也很小,只有当正向电压加到某个数值时,电流才开始明显加大,这个外加电压值叫做二极管的阈值电压或开通电压,记作。通常硅二极管的阈值电压 =0.5V~0.6V ,锗二极管=0.2V~0.3V ...
P_N结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟
一种用于辅助测试p-n结伏安特性的装置专利信息由爱企查专利频道提供,一种用于辅助测试p-n结伏安特性的装置说明:本实用新型提供一种用于辅助测试p‑n结伏安特性的装置,包括主体底板、移动平台、支撑组件和探测机...专利查询请上爱企查
通过分析实际P-N结与理想模型之间的差别,建立了P-N结二极管及太阳能电池的数学模型;利用Matlab中的系统仿真模块库建立仿真模型,设置参量,求解模型方程并绘制了图形.对太阳能电池在一定光照下旁路电阻及串联电阻取不同数值时对其开路电压,短路电流及填充因子的影响做了模拟,并与实际测得的硅太阳能电池伏安特性进行了比...
n结的两端电极外接伏安特性检测设备,从而实现快速高效地测试不同p ‑ n结的伏安特性,节省了测试时间,提高了效率。 附图说明 30.图1为本实用新型的整体结构示意图; 31.其中:1、主体底板;2、移动平台;21、承载板;22、驱动件;23、导电板;24、夹持机构;3、支撑组件;31、支撑架;32、固定架;321、弹簧;33、...
一,冠醚化合物的一些络合性质 冠醚是有极化特性的大环聚醚有机化合物,环的一面呈正电性,另一面是非碳氢类杂原子组成的环,该环构成负电性内腔.冠醚能够络合碱金属及碱土金属离子,主要是依靠正负电中心不重合所呈现出的偶极电场,将金属关键词:冠醚 除钠 P-N结 伏安特性 反向击穿电压 半导体器件 电场 反向饱和...
通过与其他异质结材料的性质相比,结果表明n 型ZnO纳米棒/ p 型金刚石异质结高温下具 10 有更好的性能。 关键词:ZnO纳米棒;硼掺杂CVD 金刚石;n 型ZnO纳米棒/p 型金刚石异质结;高温伏安 特性;机制分析。 中图分类号:O484.3 15 Current-voltage characteristics of the n-ZnO nanorods/p-diamond heterojunctions...