如果MOS管用作开关时,(不论N沟道还是P沟道),一定是寄生二极管的负极接输入边,正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了;如果MOS管用作隔离时,(不论N沟道还是P沟道),寄生二极管的方向一定是和主板要实现的单向导通方向一致。 在一些电池保护电路中,常有两个MOS管共漏极使用的情况,因为在这些保护电路中,既要...
那为什么通常都把P管放在高边,N管放在低边呢? MOS管作为一种开关,可以放在负载前也可以放在负载后。 这是由两种开关管的开启条件不同所导致的。 一般会有两种情况,第一种是高边驱动,开关MOS与电源直接相连,第二种就是低边驱动,开关MOS与地相连。 我们来看两者的导通条件: 增强型NMOS:GS之间的压差Vgs>阈值电...
那为什么通常都把P管放在高边,N管放在低边呢? MOS管作为一种开关,可以放在负载前也可以放在负载后。 这是由两种开关管的开启条件不同所导致的。 一般会有两种情况,第一种是高边驱动,开关MOS与电源直接相连,第二种就是低边驱动,开关MOS与地相连。 我们来看两者的导通条件: 增强型NMOS:GS之间的压差Vgs>阈值电...
1、P沟道MOS管开关电路 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。2、N沟道mos管开关电路 N...
场效应管电机驱动 P-N MOS管H桥原理 所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H桥电路，它由2个P 型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q3组成，所以它叫P-NMOS管H桥。桥臂上的4个场效应管相当于四个开关，P型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N型管在栅极为高电平时导通，低电平...
那为什么通常都把P管放在高边,N管放在低边呢? MOS管作为一种开关,可以放在负载前也可以放在负载后。 这是由两种开关管的开启条件不同所导致的。 一般会有两种情况,第一种是高边驱动,开关MOS与电源直接相连,第二种就是低边驱动,开关MOS与地相连。
那为什么通常都把P管放在高边,N管放在低边呢? MOS管作为一种开关,可以放在负载前也可以放在负载后。 这是由两种开关管的开启条件不同所导致的。 一般会有两种情况,第一种是高边驱动,开关MOS与电源直接相连,第二种就是低边驱动,开关MOS与地相连。
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MOSFET按导电沟道类型可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为:耗尽型-当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道;增强型-对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型。 N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的电机驱动电路 ...
专利摘要显示，本发明公开一种高效节能型P+N沟道驱动电路，包括上桥电路和下桥电路；所述上桥电路包括电阻R30、电阻R34、NPN型三极管Q12、电阻R22、电阻R16、NPN型三极管Q5、PNP型三极管Q8、二极管D4、电阻R27、电阻R13、电容C6、P沟道MOS管U3；所述下桥电路包括电阻R43、电阻R44、NPN型三极管Q18、电阻R41、电阻...