1. 掺杂元素不同 - P型二极管采用III族元素(如硼)掺杂硅/锗,形成空穴为主导的载流子,空穴浓度约为10¹⁵~10¹⁸ cm⁻³(参考《半导体物理》刘恩科著)。 - N型二极管用V族元素(如磷)掺杂,自由电子为多数载流子,电子密度与掺杂浓度正相关,典型值10¹⁶~10¹⁹ cm⁻...
二极管的P型和N型分别指的是构成二极管的两种不同类型的半导体材料。P型半导体：在半导体材料中掺入少量三价元素，使得半导体中的部分原子被替换，从而形成空穴多数载流子的半导体。在P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，因此空穴主导了电荷的传输。在二极管中，P型半导体通常作为正极。N型半导体：在...
N型二极管是以N型半导体为基础制成的二极管。在N型半导体中,自由电子是多数载流子,它们负责在电路中传输电流。N型二极管的内部结构通常由N型基区、P型发射区和N型收集区构成。当外加正向电压时,P型发射区的电子会注入N型基区,形成电流;而当外加反向电压时,由...
有下面两种情况,这两种情况得到的二极管就分别对应N型和P型二极管在一片P型硅半导体晶片表面,通过扩散或者离子注入的手段,在一个小区域内形成一小块高浓度的N区,这样得到的是N型的在一片N型硅半导体晶片表面,通过扩散或者离子注入的手段,在一个小区域内形成一小块高浓度的P区,这样得到的是P型的如下图 如果还...
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场.当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态.当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流.当...
在二极管中,P型半导体和N型半导体相接触的界面称为PN结。PN结具有单向导电性,即正向导通,反向截止的特性。那么,二极管的阳极是P型半导体还是N型半导体呢? 答案是:在二极管中,阳极通常是由P型半导体构成的。这是因为在二极管正向导通时,电子从N型半导体流向P型半导体,而电流的方向是电子流向的反方向,也就是从...
其中n型半导体中的多数载流子是电子,即negative。反之p型半导体中的多数载流子为空穴。 p型和n型半导体的能带示意图 二、pn结的形成及其内部的物理意义 在一个平衡系统中,其费米能级是恒定的。所以在形成pn结时,p型半导体和n型半导体的费米能级会被拉平,pn结的能带就会发生弯曲。为了更好地推导pn结的能带弯曲的...
在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体。纯净半导体中掺入微量的杂质元素，形成的半导体称为杂质半导体。半导体根据掺入的杂质元素的不同，可以分为P型半导体和N型半导体。二极管有PN结，采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体和N型半导体制作在同一...
P型MOSFET和N型MOSFET的体二极管的阴阳极连接刚好相反。因此P型MOSFET和N型MOSFET，虽然从外观上无法区分...
上面的PN结是在作为基底的P型或N型半导体扩散上去的。举个例子，N型点接触二极管是这样做的：用一块N型半导体，正级使用一根铝线与半导体接触，这样就有少量的铝扩散到半导体里，形成PN结，得到一个二极管，整个二极管就是一块N型半导体加一个PN结，没有P型半导体（或者小到可以忽略）。