ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 3.0 V ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 90 mΩ 入力容量 (Typ.) Ciss - 2780 pF ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 47 nC 逆回復時間 (Typ.) trr - 330 ns 逆回復電荷量 (Typ.) Qrr - 5100 nCご...
ファストリカバリ・ボディ・ダイオード 前世代と比較して、より低い単位面積当たりのRDS(on) 低いゲート電荷、入力容量、抵抗 100%アバランシェ試験済み きわめて高いdV/dt特性 ツェナー・ダイオードによる保護 続きを読む おすすめ製品 STSW-eDSim eDSim: fast and powerf...
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ラスタイルマガジン薄さと容量を兼ね備えた、2つ折り財布とカードケース。 私からだは誰のもの? 「リロ」をめぐる30年不妊手術から見える日本の男女不平等 私たちがいま、国と闘う理由 語の扉小林克也さん英語力の原点 ほうきを持ってまねしたあの大スターの歌 朝日モールツレヅレハナ...
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 3.0 V ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 65 mΩ 入力容量 (Typ.) Ciss - 3650 pF ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 62 nC 逆回復時間 (Typ.) trr - 350 ns 逆回復電荷量 (Typ.) Qrr - 6000 nCご...