发射结正偏,同时使集电结反偏。2、一个电压源串联一个电阻,可以等效变换为一个电流源并联③、应用支路电流法对电路进行求解时,对于具有n个结点和b条支路的电路,可以列出n-l独立的结点方程,其余的一b-(n-1)要使三极管工作在放大状态,则外电路所加电压必须使三极管的温度是___,相量=___ 相关知识点: 试...
（1）发射结正偏、集电结反偏时，晶体管工作在正向有源区（即放大区）；（2）发射结和集电结均正...
百度试题 结果1 题目三极管有NPN和PNP两种类型,当它工作在放大状态时,发射结__正偏__,集电结___反偏___;NPN型三极管的基区是_p_型半导体,集电区和发射区是_n__型半导体。相关知识点: 试题来源: 解析 正偏; 反偏; P; N。反馈 收藏
三极管是一个具有两个PN结的半导体器件,这两个PN结可以近似等效的结构。放大器正常工作时,三极管的基极通过偏置电阻Rb接+3V电源,发射极接GND端,故其发射结是处于正偏状态,而三极管的集电极通过集电极电阻Rc接+3V电源,故三极管的集电结是处于反偏状态。 扩展资料 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三...
结在交界处能带发生弯曲。 平衡平衡PNPN结能带图结能带图 平衡平衡pp--nn结特点结特点 存在着具有一定宽度和高度的空间电荷区存在着具有一定宽度和高度的空间电荷区 (势垒区),(势垒区), 存在着内建电场,由存在着内建电场,由nn区指向区指向pp区, 区, P P- -n n结净电流为零,漂移扩散相等, 结净电流为零...
百度试题 题目三极管起放大作用的外部条件是()。 A. 发射结正偏、集电结反偏\n B. 发射结反偏、集电结正偏\n C. 发射结正偏、集电结正偏 相关知识点: 试题来源: 解析 A.发射结正偏、集电结反偏\n 反馈 收藏
N型半导体结构图PN结 P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在 PN 结两侧的积累,形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时,P区和N区之...
【题目】1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的(A电子B空穴C三价硼元素D五价磷元素2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于(A发射结正偏、集电结反偏
因为N+N结势垒较低且不处于耗尽状态,所以结处没有高阻区。外加电压不像pn结那样主要发生在势垒区,而是主要降落在N区。 正偏时,N+区中电子向N区运动,N区中空穴向N+区运动,由于N+区电子浓度很高,N区的空穴浓度很低,因此正向电流主要是电子电流。 反偏时,N+区中空穴向N区运动,N区中电子向N+区运动,由于...
热电击穿对双极晶体管常称为二次击穿,对MOSFET常称为“热奔” 。 等温伏安特性曲线 等温热耗曲线 p+n结的热耗特性 p+n结的反向饱和电流 (具有负阻特征) 热电击穿发生之前,pn结的伏安特性曲线实际上由图中两组曲线的等温交点构成,是一条变温电流-电压曲线并呈现电流越大,电压越低的负阻特征。应用电路中须...