1.熟悉GTR、MOSFET、IGBT的开关特性。 2.掌握GTR、MOSFET、IGBT缓冲电路的工作原理与参数设计要求。 3.掌握GTR、MOSFET、IGBT对驱动电路的要求。 4.熟悉GTR、MOSFET、IGBT主要参数的测量方法。 二.实验内容 1.GTR的特性与驱动电路研究。 2.MOSFET的特性与驱动电路研究。
1.MOSFET主要参数:开启阀值电压VGS(th),跨导gFS,导通电阻Rds输出特性ID=f(Vsd)等的测试 2.驱动电路的输入,输出延时时间测试. 3.电阻与电阻、电感性质载时,MOSFET开关特性测试 4.有与没有反偏压时的开关过程比较 5.栅-源漏电流测试 三.实验设备和仪器 1.MCL-07电力电子实验箱中的MOSFET与PWM波形发生器部分 ...
因此,最快的开关操作由二极管的反向恢复特性决定,而不是栅极驱动电路的强度。在优化的设计中,开通时的栅极驱动速度与二极管开关特性一致。同时考虑到与最终栅极驱动电压 VDRV 相比米勒区域更接近于 GND,因此可在驱动器输出阻抗和栅极电阻器上施加更高的电压。通常获得的开通速度足以驱动 MOSFET。 而在关断时情况截然不...
MOSFET电路内含高速光耦、比较器、推挽电路、MOSFET功率器件等。可对高速光耦、推挽驱动电路、MOSFET的开启电压、导通电阻RON,跨导gm、反向输出特性、转移特性、开关特性进行研究。 IGBT电路采用富士IGBT专用驱动芯片EXB841,线路典型,外扩过流保护电路。可对EXB841的驱动电路各点波形以及IGBT的开关特性进行研究。特点: (1)...
SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验 报告 热度: 实验一SCR`GTO`MOSFET`GTR`IGBT 热度: GTR、MOSFET、IGBT的特性指导书与驱动电路研究 热度: 相关推荐 GTO、MOSFET、GTR、IGBT驱动与保护电路实验 一、实验目的 (1)理解各种自关断器件对驱动与保护电路的要求。 (2)熟悉各种自关断器件的驱动与保护电路的结构...
SiC MOSFET的参数特性 碳化硅(SiC)MOSFET作为宽禁带半导体材料(WBG)的一种,具有许多优异的参数特性,这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要参数特性,并通过对比硅基MOSFET和IGBT,阐述其技术优势和应用领域。 2025-02-02 13:48:00 ...
Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析 大电流 Si IGBT 和小电流 SiC MOSFET 两者并联形成的混合器件实现了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。为了尽可能在不同工况下分别利用 2025-01-21 11:03:57 为什么说新能源汽车的核心器件是IGBT而不是MOSFET?IGBT或MOSFET的驱动电路有...
功率MOSFET的结构和其相应的等效电路。除了器件的几乎每一部分存在电容以外,还必须考虑MOSFET还并联着一个二极管。同时从某个角度 看、它还存在一个寄生晶体管。(就像IGBT也寄生着一个晶闸管一样)。这几个方面,是研究MOSFET动态特性很重要的因素。 4.功率MOSFET驱动电路 ...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称绝缘门极双极型晶体管。是由BJT(双极结型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。电路符号如下图所示。 IGBT也有三个电极,栅极G、发射极E和集电极C,其简化等效电路如下所示,可以看成一个N沟道MOSFET和PNP型晶体管以达林顿形式复合而...
结合MOSFET和BJT的优点——IGBT，电压型开关，BJT输出，电导调制效应大大降低损耗，但少数载流子存储也降低...