默认情况下,测试应该在Drain上从0扫到400V。栅极和源极SMU应同时在相同的电压下扫描。用户还能够根据被测试设备的阻抗来改变CVU设置,如频率、范围和速度。 图16. MOSFET扫描到400V的电容特性 图17. 400V扫描的输出数据 图16显示了由4200A-SCS中测试MOSFET上高达400V的C-V扫描图。差分电压为一个计算值。区别在于...
图7显示了“使用4200A-CVIV BiasT的MOSFET3端C-V测试”项目，该项目使用了hivcvulib中的SweepV用户模...
1.建立MOS管测试回路,对MOS晶体管的栅源电容进行低频CV特性测量。 2.根据测试结果,判断晶体管沟道掺杂类型。 3.计算出MOS晶体管工艺参数。 4.绘制MOS晶体管C-V特性曲线。 三、实验步骤 本实验采用的CV测试系统包括:安捷伦精密LCR表、安捷伦耦合器、直流稳压电源和测试盒等。下图为NMOS晶体管CV特性测试原理框图。
对于半导体内的载流子而言，反应速度一般比较快，因此高频和低频的电容基本相同。但通常缺陷位产生的电荷响...
实验22MOSFET的低频CV特性测量.pdf,西安电子科技大学微电子学院 实验 22 MOSFET 的低频 CV 特性测量 MOSFET 的低频 CV 特性测量就是通过对 MOSFET 的电容 - 电压 (C-V) 特性测试, 进而得出氧化层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层电荷密度、耗尽层电荷密度以及阈值电 压等参数。
MOSFET 的低频 CV 特性测量就是通过对 MOSFET 的电容 -电压 (C-V) 特性测试, 进而得出氧化层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层电荷密度、耗尽层电荷密度以及阈值电 压等参数。 CV 测试被广泛地应用在半导体参数的测量中,是一种能够得到许多工艺 参数的重要测试手段,能够有效地评估工艺、材料及器件的性能。该方法是通过...
MOS电容高频C-V特性测量广泛应用于全球的半导体制造行业和研究单位,为研究半导体表面的特性提供了一个非常有力的手段;SiGe材料由于具有迁移率高、禁带宽度小,与CMOS工艺具有较好的工艺兼容性等优点,成为制作高频、低温、低功耗器件的理想半导体材料。 本文的主要任务是设计了一个MOS电容高频C-V特性的测试平台。结合本专...
阻抗分析仪是测量C_(GS)-V_(G)、C_(GD)-V_(G)的关键设备。在利用阻抗分析仪测量三端器件的某个参数时,需对非测量的第三端进行屏蔽以消除其引入的并联阻抗误差。而功率MOSFET器件在栅压超过阈值电压时呈导通态,影响测量电路拓扑,进而引入其他测量误差。该文针对阻抗分析仪测量功率MOSFET器件的C_(GS)-V_(G...
(4)MOSFET的电容测试非常重要,且与其在高频 应用有密切关系。不同频率下C-V曲线不同,需要进行 多频率、多电压下的C-V测试,表征MOSFET的电容特 性。 使用普赛斯S系列高精度数字源表、P系列高精度 台式脉冲源表对MOSFET常见参数进行测试。 输入/输出特性测试 ...
C - V测量是一种常用的电学检测方法,用于评估栅氧化层的电学性能。通过测量不同偏压下的电容值,可以获取氧化层的厚度、界面态密度等信息。当栅氧化层存在缺陷时,如界面态缺陷或漏电通道,会导致电容 - V特性曲线发生变化。例如,界面态缺陷会使电容在低频下出现异常的频率色散现象,通过分析这种现象可以确定界面态的密...