MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。 〔C〕 A. 体 B. 衬偏 C. 沟长调制 D. 亚阈值导通 相关知识点: 试题来源: 解析 什么是N阱?〔5分〕 解:CMOS工艺中,PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上,假设衬底为P型,那么PMOS管要做在一个N型的“局部衬底〞上,这块与衬底掺杂类型相反的N型“局部...
百度试题 题目MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的()效应产生的。 A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通相关知识点: 试题来源: 解析 C 反馈 收藏
D.输出电压表 单项选择题 宽限期条款的宽限期一般为( ),遇特殊情况,如发生天灾人祸,可以酌情放宽。 A.半个月 B.一个月 C.两个月 D.三个月 单项选择题 以下哪个是移动操作系统?() A.Linux B.Android C.WindowsXP D.Windows2003 AI智答 联系客服周一至周五 08:30-18:00 ...
MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的___效应产生的() A.体 B.衬底偏置 C.沟道长度调制 D.亚阈值导通 查看答案
12.MOS管中相对最大的寄生电容是。 答案: 栅极氧化层电容 13.MOS管的小信号输出电阻【图片】是由MOS管的效应产生的。 答案: 沟长调制 14.题1-1-4摩尔定律之后,集成电路发展有三条主线,以下不是集成电路发展主线的是:。 答案: SoC 15.题1-1-5单个芯片上集成约50万个器件,按照规模划分,该芯片为:。 答案...
题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻Ro是由MOS管的()效应产生的。A.体B.衬底偏置C.亚阈值导通D.沟长调制
：MOS器件小信号模型中的是由MOS管的(沟长调制)效应引起。
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r0是沟道长度效应影响下产生的等效电阻,也可以叫做mos管小信号的输出电阻。 我们一直在强调MOS管在饱和区的时候等效为一个至于Vgs相关压控电流源。但是在饱和区由于沟道长度效应,随着Vds的增加Id电流会有一个小幅度的上升,这个可以通过I-V曲线看出。model r0的本意就是用r0代表这个小幅度上升电流Id。
MOS器件小信号模型中的mbg是由MOS管的()效应引起。A.二级B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具