当VDS继续增大,这夹断点向源端移动,最终形成由耗尽层构成的夹断区,MOS管进入饱和区工作。 此时沟道两端的电压保持VDS-Vth,而VDS的增加部分降落到夹断耗尽区内,ID几乎不变,达到最大。 (4)击穿区 NMOS 管的漏极—衬底PN结由于VD过高被击穿。 需要注意的是,对于PMOS器件来说,线性区和饱和区的漏极电流公式需要...
图6 插入MOS管元件 这时候就可以出现一个原理图了,按"i"往里面插入元件,点击Browse可以找到对应库中的MOS管并且插入。 图7 插入电源和地 电源和地可以在analogLib这个自带的库中找到。 图8 连接电路图 按“w"出现导线,连接所需要测试I-V曲线电路图。 图9 元件命名 对于某些电流源,可以右键找到Properties对其进...
MOS管i-v特性-特性曲线和电流方程 与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。 转移特性曲线如图1(b)所示, 由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随VDs而变化,即不同的VDs 所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用VDs 大于某一数值...
插入元件、连接导线，通过“i”键插入元件，浏览库资源选择MOS管等关键组件。电源与地则在预设的库中轻松获取。完成电路图搭建后，点击“w”键添加导线，确保电路完整。测试MOS管I-V曲线的关键步骤，涉及添加变量与设置扫描范围。在界面中添加变量Vds，并设置起始点、终结点和步长，以实现精确的扫描。同样...
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这时候就可以出现一个原理图了,按"i"往里面插入元件,点击Browse可以找到对应库中的MOS管并且插入。 图7 插入电源和地 电源和地可以在analogLib这个自带的库中找到。 图8 连接电路图 按“w"出现导线,连接所需要测试I-V曲线电路图。 图9 元件命名 对于某些电流源,可以右键找到Properties对其进行命名方便区分,也可以...