从NaxMoO3-3的全谱来看(图S3a),没有明显的B 1s峰。这表明NaxMoO3表面的残留离子已被完全去除。插入后,Mo6+的特征峰向结合能较低的方向移动,表明获得了电子。少量不饱和Mo5+位点出现,位于231.4 eV和234.5 eV(图1c)[29]。类似的电子转移现象也发生在晶格氧原子中(图S3b)。因此,综合以上XRD结果,我们得出...
XRD谱图中,所有衍射峰均为α-MoO3结构(JCPDS No. 05 0508)。但与OV-MoO3相比,OV-MoO3/Ce的衍射峰移动角度较低,这是由于Ce掺杂引起晶格畸变和层间距增大所致。随着Ce掺杂量的进一步增加,OV-MoO3/Ce的衍射峰向较低方向偏移,表明晶格发生了较大程度的扭曲。XPS谱图中,随着 Ce 掺杂量的增加,OV-MoO3/Ce的...
XRD和Raman的测试结果表明通过热处理MoO3会出现明显的低价Mo氧化物特征峰,并且O=Mo=O的消失印证了氧缺陷的生成。图1. 材料SEM,TEM,XRD,BET,Raman表征。如图2所示,热处理过后MC700复合物表面官能团发生改变,仅存N-H和C=C。样品的O...
为确定 MoO3:MoS2杂化层的结晶度,研究采用了 XRD 对其进行表征,结果表明:杂化层中存在 MoS2的晶体结构,但缺少与 MoO3或中间产物 MoOxSy相对应的额外峰,其原因可能是这些材料为非晶态结构或者其含量低于检测限。此外,研究还利用高分辨率 ...
为确定 MoO3:MoS2 杂化层的结晶度,研究采用了 XRD 对其进行表征,结果表明:杂化层中存在 MoS2 的晶体结构,但缺少与 MoO3 或中间产物 MoOxSy 相对应的额外峰,其原因可能是这些材料为非晶态结构或者其含量低于检测限。此外,研究还利用高分辨率 TEM 观察到了 MoS2、MoO3 的晶体结构,以及可能对应于 MoOxSy 的非晶...
电子束辐照a-MoO 3原子尺度结构演变的原位表征 王思铭1,彭华雨1,蒋仁辉打管晓溪1,齐 孟1,马龙辉1,贾双凤1,郑 赫⑺少,王建波“（1.武汉大学物理科学与技术学院，电子显微镜中心，人工微结构教育部重点实验室和高等研究院，湖北 武汉430072；2.武汉大学苏州研究院，江苏 苏州215123；3.武汉大学深圳研究院，广东...
６４、２２ ３１、１０ ７５Fg－１ ;SEM 结 果 显 示 CuO 颗粒比较均匀地分布在αＧMoO３ 上;XRD 测试结果表明复合材料结构中存在αＧMoO３ 和 CuO.关 键 词:αＧMoO３/CuO;αＧMoO３ ;复合材料;电化学;电容 中图分类号:TB３３１ 文献标志码:A E l e c t r o ...
样品1 煅 烧后 产物 的 XRD 衍 射花样 从图3b 可以看 出,350 ℃加热产物 的 x 射线 粉末衍射峰均被指认为纯正交相 仅一MoO 的结构 , 与标准卡片 (JCPDS76 —1003 ) 相吻合 ,没有杂质 峰 出现,说明加热 350 oC后介稳的六方相不可逆 的转 ...
一种所述掺杂型moo3纳米带或所述制备方法制备的掺杂型moo3纳米带的应用,其特征在于,该掺杂型moo3纳米带用于制作氢气传感器元件。 进一步,包括如下步骤: 步骤a):将基片用无水乙醇和丙酮超声清洗后,再用去离子水冲洗,烘干,备用; 步骤b):将差值电极掩膜版覆盖在所述烘干后的基片上,在惰性气体气氛或真空中,采用直...
ceO2体系的XRD相定量结果指出MoO3的分散容量为0.81retool/100m2. 如图2所示,MoO3 含量低于分散容量时,在 800 和 963 cmI1处出现散射峰,峰强度随含 量从(A ) 0 .4 到(B) 0 .7 re to ol/100 m 增加而增加,而 Mo 含量超过分散容量的( c ) 1.0 和( D) ...