剥离工艺（lift-off）是在衬底上用光刻工艺获得图案化的光刻胶结构或者金属等掩膜（shadow mask），利用镀膜工艺在掩膜上镀上目标涂层，再利用去胶液（又称剥离液）溶解光刻胶或者机械去除金属硬掩膜的方式获得与图案一致的目标图形结构。具体工艺 基片经过涂覆光致抗蚀剂、曝光、显影后，以具有一定图形的光致抗蚀剂...
Lift off工艺是什么?Lift off工艺是晶圆厂中的常见工艺,它是制作金属互连、导线和其他结构时的一种替代光刻和蚀刻过程的方法。见下图:上图是一个典型的Lift off工艺,工艺步骤为:1,准备晶圆基板2,做光刻图形:在晶圆上涂覆一层光刻胶。接着进行光刻过程,利用掩膜版曝光光刻胶,然后...
综上所述,影响Lift-off工艺的因素包括光刻胶的厚度、形态、溶剂选择、光刻胶特性、图案分辨率以及成本和产能等方面。通过优化这些影响因素,可以提高Lift-off工艺的成功率和生产效率,从而满足微电子制造领域的需求。
Lift-off工艺,晶圆制造业的一项常用技术,为电子与半导体领域的发展贡献着重要力量。这项技术是在晶圆厂制作金属互连、导线以及其他重要结构时的一个关键工序,与传统的光刻和蚀刻工艺相比,它提供了一种更加高效和精确的方法。 Lift off工艺的奥秘 在解释Lift off工艺之前,我们得先了解一下传统的半导体制造流程。传统方法...
所谓Lift-Off工艺,即揭开一剥离工艺,是一种集成电路工艺,可以用来省略刻蚀步骤。 图1、普通光刻工艺示意图 我们先来看一下普通的光刻工艺(如图1所示):首先进行成膜,然后将涂布在基板上的光刻胶进行图形化曝光,显影除去曝光的光刻胶,接着进行刻蚀,最后将剩余光刻胶剥离,留在基板上的就是需要的成膜图形。 图2、...
所谓Lift-Off工艺,即揭开一剥离工艺,是一种集成电路工艺,可以用来省略刻蚀步骤。 图1、普通光刻工艺示意图 我们先来看一下普通的光刻工艺(如图1所示):首先进行成膜,然后将涂布在基板上的光刻胶进行图形化曝光,显影除去曝光的光刻胶,接着进行刻蚀,最后将剩余光刻胶剥离,留在基板上的就是需要的成膜图形。
Lift-Off工艺步骤: 1. 准备基板 2. 牺牲薄膜层的沉积 3. 对牺牲层进行图案化 (例如蚀刻), 以形成反向图案 4. 沉积目标材料 5. 洗去牺牲层以及目标材料的表面 6. 最终图案层: ①基材 ②牺牲层 ③目标材料 上海伯东代理剥离成形电子束蒸镀设备 Lift-Off E-beam 精确控制真空压力, 电子束源与基板的抛射距离...
负胶相比于正胶,在接触式紫外光刻中更容易获得undercut结构,因此常用于lift-off工艺。负胶设计用于lift-off时,可以达到可重复的底切效果,防止光刻胶侧壁被涂覆,使后续的lift-off过程更加容易。 在lift-off工艺中,通过优化工艺参数,如曝光剂量和显影时间,可以获得明显的底切形态,从而消除毛刺。例如,适当过曝点有利...
影响lift-off工艺的因素: 通过上面的描述,不难理解lift-off工艺的实现过程,但是这里面有一些细节,决定这lift-off工艺的成败与否。 1. 光刻胶的厚度 由上述定义可以看出,光刻胶在lift-off工艺中起到形成图案,以及让光刻胶上的薄膜层以及衬底上的沉积的薄膜层断开,从而实现光刻胶在去胶液中溶解过程中,上层金属飘...
在lift-off工艺中,负胶(negative resist)通常被推荐用于形成undercut结构。这种结构有助于在后续的剥离过程中实现更清晰和精确的图案化。以下是详细的解释: 负胶相比于正胶,在接触式紫外光刻中更容易获得undercut结构,因此常用于lift-off工艺。负胶设计用于lift-off时,可以达到可重复的底切效果,防止光刻胶侧壁被涂...