剥离工艺(lift-off)是在衬底上用光刻工艺获得图案化的光刻胶结构或者金属等掩膜(shadow mask),利用镀膜工艺在掩膜上镀上目标涂层,再利用去胶液(又称剥离液)溶解光刻胶或者机械去除金属硬掩膜的方式获得与图案一致的目标图形结构。具体工艺 基片经过涂覆光致抗蚀剂、曝光、显影后,以具有一定图形的光致抗蚀剂...
综上所述,影响Lift-off工艺的因素包括光刻胶的厚度、形态、溶剂选择、光刻胶特性、图案分辨率以及成本和产能等方面。通过优化这些影响因素,可以提高Lift-off工艺的成功率和生产效率,从而满足微电子制造领域的需求。
双层光刻胶lift-off工艺是一种微纳加工技术,通过特定的光刻胶结构实现目标材料的图案化。其基本原理如下: 1. 双层光刻胶结构:通常包括底层不感光的剥离层(如LOR或LOL胶)和顶层的常规紫外正胶或负胶。底层胶对紫外光不敏感,但会在显影液中随时间延长而溶解,从而在后续过程中形成底切(under-cut)结构。 2. ...
在执行lift-off工艺时,通常建议使用每款光刻胶所推荐的去胶液。在常规工艺条件下,这通常能够顺利完成剥离。然而,如果遇到剥离困难,可以考虑采用超声辅助方法,或者将部分剥离液加热至50~80℃来加速剥离进程。但请注意,某些有机溶剂在加热时可能存在危险,因此必须谨慎操作。7. 总结 半导体剥离(lift off)工艺在...
所谓Lift-Off工艺,即揭开一剥离工艺,是一种集成电路工艺,可以用来省略刻蚀步骤。 图1、普通光刻工艺示意图 我们先来看一下普通的光刻工艺(如图1所示):首先进行成膜,然后将涂布在基板上的光刻胶进行图形化曝光,显影除去曝光的光刻胶,接着进行刻蚀,最后将剩余光刻胶剥离,留在基板上的就是需要的成膜图形。 图2、...
上图是一个典型的Lift off工艺,工艺步骤为:1,准备晶圆基板2,做光刻图形:在晶圆上涂覆一层光刻胶。接着进行光刻过程,利用掩膜版曝光光刻胶,然后将未被曝光的部分的光刻胶通过显影去除,留下所需图案的光刻胶。3,材料沉积:在整个晶圆表面包括光刻胶模板覆盖区域和暴露区域沉积所...
在实际应用中,Lift off工艺有着不可比拟的优点。 首先,这一工艺极大地提高了图案的边缘清晰度,因为金属薄膜是直接沉积在没有光刻胶的基板表面上,不会受到蚀刻过程中可能出现的不可控因素影响。 其次,由于Lift off过程将多余的金属和光刻胶一起去除,这一精巧的剥离过程省去了传统蚀刻技术所带来的额外环节和潜在风险...
Lift-Off工艺是一种集成电路工艺,其核心在于省略刻蚀步骤,简化生产流程,有效降低生产成本。常规光刻工艺流程(图1)包括成膜、图形化曝光、显影、刻蚀及剥离等步骤,最终在基板上形成所需的成膜图形。对比之下,Lift-Off工艺(图2)流程有所调整,首先进行图形化曝光与显影,去除曝光的光刻胶,随后进行...
在半导体制造的世界里,工艺的复杂性不断升级。Lift off工艺是一种独特的技术,它在晶圆制造过程中扮演着关键角色,尤其是在金属互连和导线结构的形成过程中,取代了传统的光刻和蚀刻步骤。对于初学者来说,可能需要回顾之前的基础内容来理解其原理。Lift off工艺的流程主要包括:首先,准备洁净的晶圆基板;...