闩锁效应(latchup) 闩锁效应(latch up ) 闩锁效应(latch up )是CMOS 必须注意的现象,latch 我认为解释为回路更合适,大家 以后看到latch up 就联想到在NMOS 与PMOS 里面的回路,其实你就懂了一半了. 为什么它这么重要?因为它会导致整个芯片的失效,所以latch up 是QUAL 测试的一种, 并且与ESD (静电防护)紧密...
闩锁效应产生Latchup的具体原因.pdf,Latch up • Latch up 的定义 • Latch up 的原理分析 • 产生Latch up 的具体原因 • 防止Latch up 的方法 Latch up 的定义 Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O 电路处, 也偶尔 发生在 电路 Latch up 是指cmos 晶片中, 在电
闩锁效应(latch up)是CMOS必须注意的现象,latch解释为回路更合适,大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路。 为什么它这么重要?因为它会导致整个芯片的失效,所以latch up是QUAL测试的一种,并且与ESD(静电防护)紧密相关。 (0)踩踩(0) 所需:1积分 ...
latchup 闩锁效应(latchup)是CMOS必须注意的现象,latch我认为解释为回路更合适,大家以后看到latchup就联想到在NMOS与PMOS里面的回路,其实你就懂了一半了. 为什么它这么重要?因为它会导致整个芯片的失效,所以latchup是QUAL测试的一种,并且与ESD(静电防护)紧密相关。 latchup的原理我用一句最简单的话来概括,大家只要...
集成电路系统重点实验室 Copyright by Huang Weiwei latch-up原理分析 CMOS电路中在电源VDD和地线GND之 CMOS VDD GND CCMMOOSS VVDDDD GGNNDD 间由于寄生的PNP和NPN相互影响可能会产生 PNP NPN PPNNPP NNPPNN 的一低阻抗通路,使VDD和GND之间产生大 VDD GND VVDDDD GGNNDD 电流,这就称为闩锁效应(latch up)...
latch-up闩锁效应.pdf LATCH -UP 定义,产生原因,解决方法,天线效应。对芯片模拟设计,IC 版本有较大帮助 上传者:laoheitang时间:2021-12-22 电子功用-抗闩锁效应微处理器复位电路 行业资料-电子功用-抗闩锁效应微处理器复位电路 上传者:dbnjzy时间:2021-09-15...
所谓 Latch—up,也即闩锁效应 , 就是指瞬变 电流被锁定甚至放大 ,造成器件在 电源与地 之 间形成短路 ,造成大电流和器件损坏11-2]。 因此 ,闩锁效应是影响集成 电路芯片器件可靠性 的 一 个潜在 的严重 问题 ,客观 、准确地评价其对 闩锁效应 的抵抗 能力是保证芯片和器件质量 的重要一环 。当前业 界 ...
1、 cmos的闩锁效应:latch up的原理分析 本篇主要针对cmos电平,详细介绍一下cmos的闩锁效应。1、latch up闩锁效应是指cmos电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路。latch up是指cmos晶片中,在电源vdd和地线gnd(vss)之间由于寄...
静电放电(ESD)和闩锁效应(Latch-up)是导致集成电路在生产和应用过程中失效的两大主要原因; 其他大量的电子元器件也对ESD非常敏感,如光电器件、射频和微波器件、声表面波器件、纳米器件等。 为让更多的行业人员进一步了解和掌握电子元器件ESD和Latch-up检测及分析技术方面的相关知识, ...
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