Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路。 Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。 Latch-up发生的条件: (i)当两个BJT都导通,在VDD和GND之间产生低阻抗通...
从下图结构可以明显看出,MOS管周围全部被绝缘材料SIO2包围,因此之前的寄生三极管全部没有了,所以SOI工艺可以从根本上消除闩锁效应。 另外:SOI工艺不仅能消除闩锁效应,而且还能大幅降低寄生电容,提高器件工作速度等许多优点,所以SOI工艺也是低功耗和高性能集成电路的首选。 3.1.3倒掺杂阱技术 从上面的分析中我们很容易知道...
从下图结构可以明显看出,MOS管周围全部被绝缘材料SIO2包围,因此之前的寄生三极管全部没有了,所以SOI工艺可以从根本上消除闩锁效应。 另外:SOI工艺不仅能消除闩锁效应,而且还能大幅降低寄生电容,提高器件工作速度等许多优点,所以SOI工艺也是低功耗和高性能集成电路的首选。 3.1.3倒掺杂阱技术 从上面的分析中我们很容易知道...
在CMOS集成电路中,闩锁效应不容忽视。这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应(Latch-up),以及有效抑制闩锁效应的方法。 一、背景知识 (1)双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT) 图1 NPN型BJT的结构示意图、管芯剖面图和NPN型符号。[Copy from 电子工程世界] ...
latch up闩锁效应 闩锁效应（latch up）闩锁效应（latch up）是CMOS必须注意的现象，latch我认为解释为回路更合适，大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路，其实你就懂了一半了.为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护）紧密相关。第一部分 ...
Latch Up效应的主要原因有两个: 2.1 器件内部结构 CMOS器件中的PNPN结构是Latch Up效应的主要原因之一。当器件内部的PNP晶体管和NPN晶体管同时进入饱和状态时,就会形成一个正反馈回路,导致电流无限增大。 2.2 外部环境因素 外部环境因素也可以引起Latch Up效应。例如,电压过大、电流过大、辐射、温度过高等都可能导致...
闩锁效应(Latch-up)原理解析 一、探讨闩锁效应:该效应本质上源于CMOS电路中,基极与集电极相连接的两个BJT管(即侧面式NPN与垂直式PNP)的回路放大机制。当这两个管子的电流放大系数均超过1时,它们构成的回路会不断放大电流,最终导致管子因承受过大电流而引发芯片烧毁的现象。
闩锁的防止技术 体硅CMOS中的闩锁效应起因于寄生NPN和PNP双极晶体管形成的PNPN 结构，若能使两只晶体管的小信号电流增益之和小于1，闩锁就可防止。一是将双极型晶体管的特性破坏掉，即通过改进CMOS制造工艺，用减少载流子运输或注入的方法来达到破坏双极型晶体管作用的目的，例如，掺金，中子辐射形成基区阻碍电场以及...
闩锁效应（latch up）是CMOS必须注意的现象，latch我认为解释为回路更合适，大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路，其实你就懂了一半了.为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护）紧密相关。第一部分 latch up的原理 我用一句最简单的话来...