氨水半導體常使用之化學品,用以產生蝕刻試劑 (NH4F)或光罩材料(Si3N4) 。應用筆記 光阻劑 (PGMEA, NMP)半導體常使用之化學品,用以保護微電路 (sub-um)之製造,容易產生多原子離子(Polyatomic ions)之干擾。應用筆記 TMAH半導體常使用之化學品,用以移除晶圓表面的汙染物與光刻製...
これらの課題を解決する技術として、当社では化学的溶解法を用いた深さ方向分析を実施しています。薬液と試料の反応速度を制御することで、指定深さの溶解・評価が可能となります。事例1では、Siウエハのアニール炉に使用される合成石英ガラス管の深さ方向分析事例を紹介致します。
提出用电感耦合等离子体发射光谱法测定铸造铝合金中硅元素(Si)的方法.通过实验确定了样品的溶样方法,最优工作参数和干扰最少分析谱线.方法经精密度,准确度等实验. 吴思,禹飞 - 《商品与质量》 被引量: 0发表: 2020年 ICP-AES法测定铝硅合金中杂质元素 用ICP-AES法直接测定铝硅合金中Cr,Cd,Sn,Ba,Mn,Fe,...
机译:为了使用钢渣作为海洋生物(硅(Si),铁(Fe))的营养来源,有必要研究当渣和水接触时硅和铁的溶出行为1)。因此,我们专注于激光烧蚀样品引入诱导耦合等离子体质量分析(LA-ICP-MS),作为炉渣的局部分析(表面分析)方法。由于该方法不需要抛光样品表面并且可以容易地测量含水样品,因此期望可以直接观察与水接触后的炉渣...
氨水半導體常使用之化學品,用以產生蝕刻試劑 (NH4F)或光罩材料(Si3N4) 。應用筆記 光阻劑 (PGMEA, NMP)半導體常使用之化學品,用以保護微電路 (sub-um)之製造,容易產生多原子離子(Polyatomic ions)之干擾。應用筆記 TMAH半導體常使用之化學品,用以移除晶圓表面的汙染物與光刻製...