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Accurate Modeling of Gate Electron Tunneling Current in Metal-Gate/High-K nMOSFET and nFinFET 来自 ir.nctu.edu.tw 喜欢 0 阅读量: 24 作者: 研究生:張洛豪 摘要: 高介電質絕緣層可以抑制閘極漏電流而鰭式金氧半電晶體結構可以改善短 通道效應的影響.藉由WKB近似理論建立的閘極穿隧電流已經被發表了....