系列 HGT1S10N120BNS 集电极最大连续电流 Ic 35 A 高度 4.83 mm 长度 10.67 mm 宽度 9.65 mm 集电极连续电流 55 A 栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA 单位重量 1.312 g 可售卖地 全国 型号 HGT1S10N120BNST PDF资料 集成电路(IC)-其他IC-HGT1S10N120BNST-ON-TO263-新年份.pdf 下载 价格...
型号：HGT1S10N120BNST 封装：TO-263AB-3 批号：2308+ 数量：17110 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 制造商：onsemi IGBT 类型：NPT 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A 功率 - 最大值：298 W 开关能量：320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准 栅极电荷：100 nC 25°C 时 Td...
型号 HGT1S10N120BNST 型号 HGT1S10N120BNST 品牌 ON 安森美 批号 新批号 封装 TO-263AB-3 QQ 1030918574 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用...
型号: HGT1S10N120BNST 批号: 2020 封装: SOT263 数量: 10000 QQ: 1211917089 制造商: ON Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 是 技术: Si 封装/ 箱体: TO-263AB-3 安装风格: SMD/SMT 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.7 V 栅极/发射极最大电压:...
HGT1S10N120BNST是安森美ON公司生产的一款IGBT模块，其技术参数和应用如下：技术参数：- 额定电压：1200V - 额定电流：10A - 最大导通电压：1.8V - 最大漏极电流：10μA - 最大开关速度：100kHz - 封装形式：单管 应用：HGT1S10N120BNST适用于高频开关电源、变频器、UPS、电动汽车等领域的电力电子设备中，...
HGT1S10N120BNST 飞兆/仙童 型号 HGTG20N60A4 IXGH32N60C HGT1S10N120BNST 描述 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性...
型号 HGT1S10N120BNST 产品详情 PDF资料 联系我们 联系人张创权 联系电话13725557767 电子邮箱284529703@qq.com 联系地址深圳市福田区华强北街道华强佳和大厦A座2101 百度爱采购温馨提示 · 以上商品信息由第三方网站提供并负责其真实性、准确性和合法性 点击查看商品来源 · 如该商品有任何问题,请联系第三方网站进行...
品牌/型号:FAIRCHILD/仙童/HGT1S10N120BNST 封装形式:SMD DIP 型号:HGT1S10N120BNST 材料:其他 品牌:FAIRCHILD/仙童 应用范围:高反压 QQ: 464265624 巨华伍小姐 电话:0755-333340971/83985090(直线)/83985091/33340127总机 EMAIL:icgwall@163.com 巨华电子有限公司是专业经营世界知名品牌IC的供应商。业务范围涉及电子、...
HGT1S10N120BNST,仙童原装正品 深圳市五洋电子是专业的功率器件分销商,致力于全面推广
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