IPT004N03L 集成电路(IC) INFINEON/英飞凌 封装H-PSOF-8-1 批次23+ IPT004N03L 2003 INFINEON/英飞凌 H-PSOF-8-1 23+ ￥0.1000元1~9 个 ￥0.0500元10~99 个 ￥0.0100元>=100 个 深圳市创盛芯科技有限公司 3年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 NTBLS1D7N08H 电子元器件 onsemi/安森美...
封装 H-PSOF-8 批号 2149+ 数量 18000 制造商 ON Semiconductor 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 H-PSOF-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 80 V Id-连续漏极电流 300 A Rds On-漏源导通电阻 1.4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压...
[导读]飞兆半导体公司和英飞凌科技公司日前宣布已就英飞凌的H-PSOF (带散热片的小外形扁平引脚塑料封装) 先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H-PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅(TO-LL) 封装 (MO-299)。这款封装专为包括混合 飞兆半导体公司和英飞凌科技公司日前宣布已就英飞凌的H-PSOF (带散热片的小外形扁平引脚塑...
英飞凌推出创新型H-PSOF封装技术L业要 一 界闻 英飞凌推 出创新型 HPO 封装技术 -SF 英 飞凌 科技 股份公 司近 1推 出一种 创新 型封 装 3 悉 J 』j 器,为对 功耗 敏感 的系 统设 计 开创 了全 新 的机 遇。 F2P6Rmr 低功耗存储器系列中的首个产 M51是atno品, 其能耗仅 为EPOER M...
2012年1月31日,德国纽必堡讯 – 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出一种创新型封装技术,为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。新推出的TO封装符合JEDEC标准H-PSOF (散热型塑料小外形扁平引线)。首批推出的采用H-PSOF封装技术的产品是40V ...
通过推出H-PSOF封装技术,英飞凌设立了一个新的里程碑,可提供漏极电流高达300A,导通电阻低至0.76毫欧的40V功率MOSFET。此外,相比通常用于同类汽车应用的标准D2PAK封装( TO-263)而言,H-PSOF封装的尺寸更小,高度更低。 H-PSOF封装的面积比目前的D2PAK小20%左右,高度几乎是D2PAK的一半。
封装 H-PSOF-8 批号 2年内 数量 15000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 130C 最小电源电压 1V 最大电源电压 9.5V 长度 2mm 宽度 9.3mm 高度 1.2mm 可售卖地 全国 型号 IPT012N06N 技术参数 品牌: INFINEON/英飞凌 型号: IPT012N06N 封装: H-PS...
封装/外壳 8-PowerSFN 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 型号 FDBL0630N150 太航半导体官方网站:http://www.thicg.com PDF资料 集成电路-其他集成电路-FDBL0630N150-ON(安森美)-H-PSOF8L-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活...
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2012年4月3日,德国纽必堡与加州圣何塞——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与飞兆半导体公司(NYSE: FCS)今 日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF(带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装)——符合JEDEC标准的TO-Leadless封装(MO-299)——的许可协议。