表征结果表明,h-BN/rGO-102复合气凝胶在7.87-18GHz 范围内实现了有效吸收,有效吸收带宽高达 10.13GHz,在 9.68GHz时的最小反射损耗为-21.40 dB。将 h-BN/rGO-102置于200 ℃ 的外部热环境中,样品的表面温度仅为 44.45 ℃,从而...
1.北京大学科研团队构筑了纯化的h-BN和h-"BN范德华界面对原子进行研究,下列说法正确的是 A.B和B互为同位素 B.B和"B的质子数相差 1 C."B的原子结构示意图为 D.BN的电子式为B3+[:N:]-2.构建化学基本观念是学好化学的基础。下列对化学基本观念的认识中正确的是 A.分类观:在水溶液中电离出H+的化合物...
相关知识点: 试题来源: 解析 H_2A()B和B是中子数不同的B元素的不同核素 互为同位素 B(X )B和B的质子数相等。 C(X)B的原子结构示意图为 D(X)BN的电子式为B N: 反馈 收藏
最近,六方氮化硼(h-BN)纳米材料(如纳米片和纳米管)被认为是一种有效的可逆气体吸附材料,带电后具有高选择性。然而,尽管理论预测令人鼓舞,但由于 h-BN 带隙较大,具有电绝缘性质,因此很难在实验中实现传感。 本文,华中科技大学龙湖...
华中科技大学《AFM》：杂化h-BN/石墨烯气凝胶，用于超高灵敏度和选择性氨传感 1成果简介 最近，六方氮化硼(h-BN)纳米材料(如纳米片和纳米管)被认为是一种有效的可逆气体吸附材料，带电后具有高选择性。然而，尽管理论预测令人鼓舞，但由于 h-BN 带隙较大，具有电绝缘性质，因此很难在实验中实现传感。本文，...
近日,莱斯大学的研究人员在纳米快报(NanoLett.)期刊上发表了对氮化硼基纳米复合材料研究的新发现,他们利用六方氮化硼(h-BN)与立方氮化硼(c-BN)制备的纳米复合材料以意想不到的方式与光和热相互作用,这可能是有用的下一代微芯片、量子器件和其他先进技术应用。论文
图5.PEN-F纤维膜在热压之前(a)和之后(b)的横截面SEM照片。 图6.PEN-F溶液(鞘)与PVP溶液(芯)注射比例不同时,由同轴静电纺丝热压技术制备的PEN-F纤维复合薄膜的横截面SEM照片:(a)1:1,(b)4:3,和(c)5:3。 图7.纯(a)PEN-F以及h-BN填充量为(b)3wt%、(c)5wt%和(d)7wt%的PEN-F纤维复合膜的...
该论文创立了一套调控超宽禁带二维半导体导电类型的理论和掺杂技术,并在实验上首次成功实现了二维h-BN的 n型导电和垂直p-n结器件。该研究为解决长期以来宽禁带半导体中n、p型导电严重不对称的根本性难题,开发新型二维深紫外光电子器件,提出了创新见解和技术路线。本工作通过轨道耦合的杂质配位掺杂技术为克服h-BN中n...
SiC/h-BN复合涂层 碳化硅Si C和六方氮化硼(h-BN);h-BN-MAS复合陶瓷 西安齐岳生物科技有限公司是一家*从事科研试剂、多肽、石墨烯、石墨炔(graphyne)发光材料、金属配合物发光材料、光电材料、MAX相陶瓷,碳纳米管、
在这项工作中，研究者通过同轴静电纺丝热压技术制备了具有低介电常数和高热导率的柔性聚芳醚腈（PEN）纤维复合薄膜。有趣的是，这种双功能纤维复合膜以六方氮化硼（h-BN）/氟化PEN（PEN-F）为壳层，聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为纤维核层，经热压和溶解后，可进一步形成多孔、中空、苦瓜状结构。由于h-BN纳米片的...