两者性能应当相似,但不同的是,BN是极性共价键,由于N的电负性比B大,因此大π键上的电子更倾向于被固定在N的周围无法自由移动(由于没有形成共轭,也有人认为它不应该叫大π键),由于h-BN平面内没有可自由移动的电子,π键上的电子离域性不高,室温下,h-BN中载流子迁移率较低,因此h-BN具有优异的电绝缘性。
h-BN是一种禁带宽度为5~6eV的绝缘体,在紫外发光二极管等光电器件方面有广阔的应用前景。此外,h-BN片层内具有较高的热导率(通过声子震动导热)和较低的热膨胀系数,是理想的散热材料和高温绝缘材料。但与石墨类似的,虽然h-BN的层内平面热导率非常高,但在垂直BN层的方向上(层与层之间缺乏高效导热结构),热导率...
pBN含有丰富的孔隙和h-BN结构域(用红色圆圈标记),在高分辨率透射电子显微镜(HR-TEM) 图像中,层间距为0.35 nm,对应于h-BN结构域的 (002) 平面。在图2b,c中,可以观察到具有“核-壳”结构和5-9 nm窄横向尺寸分布的BN-S纳米点,并且“核”和“壳”可以分别归属于h-BN结构域和接枝的蔗糖分子。在原子力显微镜...
请教各位，有没有关于双层graphene或者h-BN层间距调制的前沿工作，理论计算的都可以啊，我调研了下没什么...
结果表明,h-BN作为助催化剂不仅能与MoS 2的晶格结合,而且能与MoS 2纳米片(MoS 2 NSs)形成异质结构;同时,也扩大了MoS 2 NSs的层间距和比表面积,有利于催化剂与底物间的接触,与MoS 2协同增强对过氧化氢(H 2 O 2 )的催化活性。构建出的h-BN/N-MoS 2 -TMB-H 2 O 2比色检测平台,在最佳条件下,具有...
结果表明,h-BN作为助催化剂不仅能与MoS 2 的晶格结合,而且能与MoS 2 纳米片(MoS 2 NSs )形成异质结构;同时,也扩大了MoS 2 NSs 的层间距和比表面积,有利于催化剂与底物间的接触,与MoS 2 协同增强对过氧化氢(H 2 O 2 ) 的催化活性。构建出的h-BN/N-MoS 2 -TMB-H 2 O 2 比色检测平台,在*...
另外, 使用h-BN作为介电 层, 化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD) 制备的石墨烯迁移率可以达到和机械剥离所制备石墨 烯相媲美的程度, 最高数值为350000 cm2 V1 s1[16]. h-BN 也可与黑磷 [17] 和 TMD[18] 组成性能极佳的器件 . h-BN的这些特点引起了各国科学家开展了对其可控 ...
制备h-BN涂层 时间/h 温度/℃ 流量/ (mL/min) 压力 2 1 800 20 1000 60 3 1100 80 1.5 900 40 0.5 700 10 常压 探索实验条件 BN薄膜表征 (1)SEM、AFM 表征薄膜的形态,完整度,平滑度; (2)XRD,TEM对薄膜晶格参数和晶面间距进行研究,计算出晶格参数,确定其为六方BN。 h-BN晶格参数 c a=b ...
基于ReS2/h-BN/石墨烯异质结的非易失性浮栅存储器示意图如图1a所示,其中ReS2、h-BN和石墨烯薄片分别作为沟道、隧穿层和浮栅。图1b显示了该器件的光学图像,石墨烯、h-BN和ReS2的厚度通过AFM表征,分别为5.6、8.5和5.1 nm。多层石墨烯(MLG)比单层石墨烯(MLG)更适合用作浮栅层,因为它具有更高的态密度和功函...
peg分子量越大,插层的层间距越大。 进一步地,步骤(1)中所述h-bn、peg、球磨助剂、溶剂、水和naoh溶液的质量比为(15-50):(15-18):(0.1-0.5):(70-85):100:(0.05-0.1)。 进一步地,步骤(1)中所述球磨的转速为300rpm-360rpm,球磨的时间12h-24h,每1h正反交替进行球磨。