GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保 护结构原理说明 在早期的ESD 保护方案中，这种反接在电源间的diode 结构被广泛应用。正向连接的diode 可以更好的处理大电流传输，但由于其较低的正向启动点压 （6.5V），这样就限制了其在较高电源电平的电路中的应用。多极串联diode（正 向或者反向）可以解决这个问题，但是，...
GGNMOS(grounded-gate NMOS)ESD保护结构原理说明 适用于初学者～ ESD2011-03-12 上传大小:214KB 所需:46积分/C币 CMOS电路ESD保护结构设计 静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性,研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理,分析了该结构对版图的...
2.基于ggnmos(gate grounded nmos)的esd保护结构通常如图1所示,该结构中io对gndio的正向放电利用ggnmos m1的横向寄生三极管q1(参见图2,即lateral npn q1)snap-back特性,io对gndio的负向放电则利用ggnmos m1的bulk和drain之间的寄生二极管发生正偏放电。io对同一芯片其他pin的放电路径在原理上都要借助io对gndio的...
For decades, a traditional workhorse device for ESD protection for standard applications in CMOS technology has been the grounded-gate NMOS device (ggNMOS). Nevertheless, we have been explaining the operation of this device countless times, including as recently as 3 weeks ago. So, it is time ...
ggnmosesdnmosgroundedgate小镇 IC设计小镇设计小镇设计小镇设计小镇:http://.ictown收集整理 GGNMOS(grounded-gateNMOS)ESD保 护结构原理说明 在早期的ESD保护方案中,这种反接在电源间的diode结构被广泛应用。 正向连接的diode可以更好的处理大电流传输,但由于其较低的正向启动点压 (6.5V),这样就限制了其在较高电...
grounded-gate NMOS）ESD 保 护结构，Drain 端接至PAD，Gate 端接至电源地。ESD 保护利用其寄生的NPN 三极管，形成一个低阻抗的放电通路，以此来保护IC 的内部电路。如下图所示 GGNMOS静电保护的工作原理 GGNMOS 的剖面结构如下 当PAD 端聚集大量的负电荷时，通过Drain 端与P-substrate 之间的PN 结，
grounded-gate NMOS）ESD 保 护结构，Drain 端接至PAD，Gate 端接至电源地。ESD 保护利用其寄生的NPN 三极管，形成一个低阻抗的放电通路，以此来保护IC 的内部电路。如下图所示 GGNMOS静电保护的工作原理 GGNMOS 的剖面结构如下 当PAD 端聚集大量的负电荷时，通过Drain 端与P-substrate 之间的PN 结，
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IC设计小镇设计小镇设计小镇设计小镇: 收集整理 GGNMOS(grounded-gate NMOS)ESD 保 护结构原理说明 在早期的 ESD 保护方案中,这种反接在电源间的 diode 结构被广泛应用。 正向连接的 diode 可以更好的处理大电流传输,但由于其较低的正向启动点压 (6.5V),这样就限制了其在较高电源电平的电路中的应用。多极串联...