下图给出了通过氮化镓(GaN)上直接生长金刚石(C)技术制备氮化镓(GaN)/金刚石(C)复合结构的工艺路线:第一步,将SiC基氮化镓(GaN)外延层与临时衬底键合;第二步,去除碳化硅(SiC)原始衬底;第三步,在氮化镓(GaN)表面生长多晶金刚石(C);第四步,激光切边,去除临时衬底及键合介质,最终获得氮化镓(GaN)/金刚石(C)复合...
英文名称:GANC 别名:Neutral alphaglucosidase C; Ganc; GANC_HUMAN; Glucosidase alpha neutral C; MGC138256; Neutral alpha glucosidase C; Neutral alpha-glucosidase C; Neutral alphaglucosidase C. 规格:100ul 浓度:1mg/ml 抗体来源:Rabbit 克隆类型:Polyclonal ...
对于硅上GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),为了实现高电阻率GaN缓冲,通常引入碳(C)以引入深受主来补偿无意掺杂的GaN中的背景施主。在Shan Wu等人的工作中,通过使用上述带隙光辅助kelvin探针力显微镜(PA-KPFM)和塞贝克系数测量,揭示了通过MOCVD生长的C掺杂GaN的费米能级和n型电导率的后移,而不是将费米能级钉扎在C...
但是,由于硅和氮化镓的结晶常数(Lattice Constant)不同,因此氮化镓层的缺陷密度较高、无法形成可以满足耐高电压、大电流的纵型FET,也无法制作高性能的横型HEMT。 第二个问题,作为结体块式(Bulk)的氮化镓晶圆本身质量不高。如今的结晶块晶圆的最大错位密度高达106/平方厘米,这种水平的密...
松下HD还在研发可耐1200V以上高压的垂直型GaN器件,并讨论了可降低碳(C,此处为随机进入漂移(Drift)层,并补充施体(Donor)的碳)浓度的结晶生长条件,同时还发现了可将碳浓度控制在5×1015/cm3以下的漂移(Drift)层的生长条件,以促进GaN器件的制作。为了今后稳定生产高耐压垂直型GaN器件,还...
小米在发布小米10系列手机的同时还发布了可以看作“为小米10 Pro而生”的小米GaN充电器Type-C 65W,这款充电器不仅支持小米10 Pro
首先,就是看倍思GaN充电器Type-C口的PD报文,5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A,最高功率有65W,也支持PPS 3A,符合宣传。由于双口支持盲插,后续测试发现无论1口还是2口在报文、协议、充电输出都一样,下文就不每个口都重复赘述。 再测试快充协议,支持大部分协议,可惜没有全绿。
AENZR的这款充电器全USB-C接口设计，4个USB接口，同时给不同设备充电。以下图为例，手机、平板、充电宝、小电器，它轻松搞定了同时充电问题。桌面也从杂乱无章变得干净整洁了。这款充电器采用了先进的GaN芯片，强劲芯片同时驱动，促使充电器有了大功率，并且疾速闪充不等待的高性能表现。实际上，我以前也入手过多口...
Si导电性能不错,但是不耐高压。堆器件设计和复杂工艺可以去改善Si短板,比如IGBT,硅基超结管。基本把Si的功率潜力压榨到极限了。 GaN材料禁带更宽-材料更难导电。零界电场更高-材料更耐高压。 Ga是一种稀有金属元素。高温高压下把金属Ga和氮气或则氨气反应,就能合成GaN。
1. 一种具有GaN: C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构,其特征在于,该HEMT结构自下而上依 次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN:C/GaN超晶格高阻层和AlGaN势垒层;其中高阻层 由多层GaN: C故意碳掺杂层和非故意掺杂GaN层交替连接组成;单层GaN: C故意碳掺杂层的 厚度为5-500nm;单层非故意掺杂GaN层的厚度为5-500...