此外,作者分析了所有实验合成的钙钛矿Cs2KMI6(M = Ga,In)对应的二元和三元化合物,并计算了这些相的稳定化学势区域,绘制了钙钛矿Cs2KMI6(M = Ga,In)的热力学相图,如图2所示。这些现有的热力学相图可以用来分析Cs2KMI6(M = Ga,In)的热稳定性。狭窄的二维多面体区域(如图2所示)表明,需要仔细控制热力学合成条件...
这些现有的热力学相图可以用来分析Cs2KMI6(M = Ga,In)的热稳定性。狭窄的二维多面体区域(如图2所示)表明,需要仔细控制热力学合成条件,以获得高质量的Cs2KMI6(M = Ga,In),避免杂质相的产生。根据计算得到的热力学稳定相图,我们选择了两个具有代表性的化学条件,分别对应于点A/C点(Ga/In-rich,I-poor)和B/D...
是的，平衡状态下，固态时相组成为Ga纯金属+四方相A6，其中四方相为固溶体，溶有少量的Ga。发自小木虫...
急求Al，Ga，N 和 In，Ga，N 两张相图，谢谢啦 紧急求助
关键词 相图; 相似文献 中文文献 外文文献 专利 1.在含有InSb非晶过渡层的GaAs衬底上用分子束外延生长InSb薄膜 郑焕东 - 红外与激光技术 - 1994第005期 2.MOCVD外延生长Ga1—xAlAs1—ySby半导体薄膜气固平衡和人工神经网络预报 严六明 ,胡英 - 功能材料 - 1997第004期 3.MOCVD外延生长GaInAsSb合金半...
晶格形变能对GaAS—InAs固溶体溶解度的影响 由Ga-In-As三元系的热力学分析结果,计算了GaAs-InAs赝二元系相图,讨论了由外延法生成这类化合物时,外延产物发生的晶格弹性形变对GaAs和InAs互溶度的影响.计算结果表明... 乔欢,沈剑钧 - 《计算机与应用化学》 被引量: 0发表: 1995年 有机金属气相外延GaAs的载流...
1.一种含Ga和In的低银无镉银钎料,其特征在于,其化学组成按质量百分数配比为:Ag15.5%～16.5%,Cu39%～41%,Ga0.2%～0.4%,In0.2%～0.4%,Zr0.003%～0.008%,Be0.0003%～0.0008%,余量为Zn,其中,Ga︰In=1︰1,Zr︰Be=1︰10。 2.根据权利要求1所述的一种含Ga和In的低银无镉银钎料,其特征在于其化学组成按...
在钚(Pu)材料中加入少量其他金属元素,如铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铈(Ce)等,能实现Pu合金材料在室温条件下稳定。本文采用分子动力学(MD)方法及修正的嵌入原子势(MEAM),... 王丽莉,万明杰,蒋刚,... - 北京核学会核应用技术学术交流会 被引量: 0发表: 0年 Pu-Ga合金中氦泡聚集行为的分子动力学模拟 在...
内容如题，求Cu-In-Ga三元合金相图或三元合金相图软件或完整电子版手册也可以！谢谢！邮箱：sunshinemen...
最近要做一些电极测试实验，主要是想在片子上引导线，使用银浆电极效果不好，听说有一种In-Ga电极，不...