一开始我们说了FLASH和EEPROM都有可擦除的最大次数(EEPROM实际上没有擦除操作),虽然这个数字看着不小,但对于程序来说并不大,比如EEPROM为10万次,如果我们以每秒一次的间隔依次写入0xFF和0x00,则只能维持100000/3600=27.78小时,也就是一天多就可以超出其最大寿命次数,不能再可靠写入所需的内容。 这种可写入的最...
EEPROM非常适用于存储小容量的数据，例如设备的参数配置、用户个性化设置等。因为其设计特性，EEPROM在进行数据擦写时的速度相对较慢，EEPROM芯片可以擦写10万到1000万次左右，因此它更加适用于那些不需要频繁更改的数据存储场景。相比之下，FLASH存储芯片更加适合用于大容量数据的存储，例如固件、操作系统数据或大型数据文件...
1.关于擦写100万次,100万次只是官方给的一个保守值,这个不是绝对的。到了规定写入次数并不是说该单元就坏了, 而是说该单元保持信息的时间已不可信赖 2.擦写奔溃后,单片机可正常运行 ,爆掉的地址位偶尔能写成功,读始终能读,不过可能读出来的是错误数据。也就是说,性能变得不可靠了。 3.MCU...
EEPROM和Flash最显著的区别是擦写次数的不同。EEPROM可以反复写入数据,而Flash每个扇区的擦写次数有限。此外,EEPROM适合存储小量数据,而Flash适合存储大量数据。EEPROM通常使用串行接口,而Flash可以使用串行或并行接口。 2.EEPROM和Flash的优缺点 2.1 EEPROM的优缺点 2.1.1 优点 反复写入数据 适合存储小量数据 使用串行接...
Endurance:6万擦写次数 Data Retention:10年 封装支持BGA63/TSOP48等多种封装形式。 下一阶段,复旦微电SLC NAND Flash存储器全系列产品将覆盖512Mbit~16Gbit容量, 其中2/4 Gbit SPI NAND Flash容量新品最高工作频率将扩展到120MHz(3.3V)/95MHz(1.8V)的High speed模式,16Gbit PPI NAND支持DDR高速接口,可满足...
EEPROM的擦写次数通常比Flash存储器多很多。一般Flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次(现在有些已经到了上万次),而EEPROM的数据擦写次数可以远远超过这个范围。这使得EEPROM在需要长期存储和频繁更新的场景中更具优势。 成本与容量 由于EEPROM的读写速度慢、容量较小,其价格通常比Flash存储器高。然而,在需要高度可靠...
flash是块级擦写，即一次操作需要擦写整个存储区域，而非字节级别。相比之下，eeprom支持单字节擦写，这在需要局部修改数据时更为便捷。如果产品设计中对擦写次数要求不高，且在擦写过程中有足够的时间缓冲，那么flash是可以替代eeprom的。然而，FRAM如FM24C04（IIC接口，4kbit）由于操作速度快且无写等待，...
FLASH是用于存储程序代码的,有些场合也可能用它来保存数据,当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的(运行中可擦写),但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次,而且通常FLASH只能按块擦除。EEPROM不能用来存程序,通常单片机的指令寻址不能到这个区域。EEPROM的擦写次数应有百万次,而且可以按字节擦写。EEPROM在一个PAGE内...
flash的擦写寿命则是从nor flash的十万次到slc nand的一万次，mlc三千次，tlc一千次的典型寿命，擦写...