上图为样品在场发射SEM下的形貌和经过离子束切割仪抛光后的晶粒形貌 EBSD晶粒相分辨: EBSD可以在SEM中获得样品的晶粒信息,分辨不同取向的晶粒,以获得各相的分布、含量和组织架构信息。EBSD对样品的表面加工要求极高,而常规的机械研磨...
为了解决这些问题，研究人员使用能谱(EDS)及背散射电子衍射技术(EBSD)对微焊点中的成分、晶体结构、晶粒取向、大小等进行快速表征。通过这些技术手段，可以高效地监测和控制微焊点的形成和演化过程，从而提高微电子设备的性能和可靠性。因此，EDS和EBSD技术的应用为半导体工业中焊点设计与工艺优化提供了重要的参考和指导意...
然而,在实际的焊接过程中,Sn与母材之间会发生反应,从而形成Cu6Sn5和Cu3Sn两种相,这些相对于微电子设备的性能和可靠性具有不利影响。 为了解决这些问题,研究人员使用能谱(EDS)及背散射电子衍射技术(EBSD)对微焊点中的成分、晶体结构、晶粒取向、大小等进行快速表征。通过这些技术手段,可以高效地监测和控制微焊点的形...
为了解决这些问题,研究人员使用能谱(EDS)及背散射电子衍射技术(EBSD)对微焊点中的成分、晶体结构、晶粒取向、大小等进行快速表征。通过这些技术手段,可以高效地监测和控制微焊点的形成和演化过程,从而提高微电子设备的性能和可靠性。因此,EDS和EBSD技术的应用为半导体工业中焊点设计与工艺优化提供了重要的参考和指导意义。
金鉴的EDS和EBSD产品提供了全面的解决方案,用于增材制造原料和成品的质检。AZtecAM不仅可以统计金属粉末的形态、成分等特征,还可以准确地检测并分析杂质颗粒,为杂质来源提供依据。基于CMOS技术的EBSD探测器具有快速采集速度,并结合大面积拼接功能,可用于统计分析金属颗粒的内部特征以及成品件的组织形态和缺陷。
应用于微焊点金属间化合物中的EDS和EBSD技术 微焊点分析技术在半导体工业中的应用 在半导体技术的不断进步推动下,集成电路的设计和制造已经从平面二维结构向三维堆叠转变,这一转变极大地增加了芯片的性能和功能密度。三维集成电路的实现依赖于硅通孔技术(TSV),它允许不同层次的芯片垂直互联,从而实现更复杂的芯片结构。
EBSD(Electron Backscatter Diffraction)是一种显微组织分析技术,用于研究材料的结晶结构和晶体学导向关系。两种技术通常结合使用,可以提供丰富的材料信息,对材料科学研究和工程应用具有重要意义。 EDS能谱和EBSD设备常用于电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等材料表征仪器中。这些设备可用于对金属、半导体、陶瓷、生物...
EDS/EBSD一体化系统是一种用于材料科学领域的分析仪器，于2009年10月1日启用。技术指标 EDS：分辨率 133ev, 可检测元素 4Be~92U EBSD：空间分辨率 0.1mm，最大采集解析速度 100点/秒。主要功能 能谱仪进行微区元素的点分析、线分析和面分析。电子背散射衍射仪进行微观组织、相鉴定、织构、晶粒尺寸、晶界特性等...
应用于微焊点金属间化合物中的EDS和EBSD技术 简介 随着二维到三维集成电路的转变,半导体工业中芯片的互联形式已经从二维互联转变为硅通孔3D互联,这意味着焊点尺寸有望减小至几个微米。在这一过程中,Sn基钎料因其良好性能而被广泛使用。然而,在实际的焊接过程中,Sn与母材之间会发生反应,从而形成Cu6Sn5和Cu3Sn两种...