在DDR3的布局中，时钟信号采用差分走线方式，通常并联100欧姆的终端匹配以优化性能。DDR3采用差分走线，保证稳定性及信号质量，DQS信号与CLK等长。DQS信号扮演着数据信号参考时钟的角色，其走线长度需与CLK信号保持一致。▍ PCB布线要点 遵循50欧姆或100欧姆阻抗设计，确保等长及信号间距合理性。在PCB布线过程中，应遵循一系列关键规范，以确保信号的同步性和稳定性。单端走...
1. 一、阻抗方面 DDR3要严格控制阻抗,单线50ohm,差分100ohm,差分一般为时钟、DQS。以下为一个6层板阻抗层叠,具体信息可参考附件阻抗表文件。 在走线过程中,尽量减小阻抗跳变的因素,比如:换层(无法避免)、保证参考平面完整不跨分割、线宽变化、避免stub线等。 2. 二、 时序要求 为满足DDR3时序,需要将DDR3信号...
1. 一、阻抗方面 DDR3要严格控制阻抗，单线50ohm，差分100ohm，差分一般为时钟、DQS。以下为一个6层板...
通过合理的叠层结构设计及精确的阻抗控制，我们在高速电路中为DDR3部分的信号线提供了最佳的传输条件。【 时延控制和布线策略 】在高速电路设计中，时延控制至关重要，它确保同一组内不同信号线能同步到达终端。本设计通过调整线宽、线间距等方法实现了严格的时延控制，使得所有DQ信号和DQS信号的走线长度精确控制在1123...
在走线过程中,尽量减小阻抗跳变的因素,比如:换层(无法避免)、保证参考平面完整不跨分割、线宽变化、避免stub线等。 2. 二、 时序要求 为满足DDR3时序,需要将DDR3信号分组走线。数据线每八根一组,外加相应的DQS和DQM(如:DQ0-DQ7,DQS0,DQS0#,DQM0分为一组,依次类推),走线必须同组,一组线之间不能有其...
互联通道的另一参数阻抗,在DDR2的设计时必须是恒定连续的,单端走线的阻抗匹配电阻50 Ohms必须被用到所有的单端信号上,且做到阻抗匹配,而对于差分信号,100 Ohms的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端,比如CLOCK和DQS信号。另外,所有的匹配电阻必须上拉到VTT,且保持50 Ohms,ODT的设置也必须保持在50 Ohms。
Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐;调节过程描述:DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟,DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的时钟信号,如果采样值一直低,则会将所有的DQ[n]保持为低电平来告知DDR控制器,tDQSS(DQS, DQS# rising edge to CK, CK#rising edge,在标准中要求为...
在写调整期间,存储器控制器需要补偿额外的跨越时间偏移(对每个存储器器件,信号延迟是不同的),这是由于fly-by拓扑结构及选通和时钟引入 的。源CK和DQS信号到达目的地有延迟。对于存储器模块的每个存储器元件,这种延迟是不同的,必须逐个芯片进行调整,如果芯片有多于一个字节的数据,甚 至要根据字节来进行调整。该图...
1、DDR3系统中DQS信号的设计方法摘要】本文针对DDR3系统中DQS信号完整性和时序等问题,以某自研的工程为依托,通过理论研究、前仿真预测、后仿真验证、回板测试等方法,为DQS信号设计出了拓扑结构,并在PCB中得以实现,从而实现了信号完整性。【关键词】DDR3;拓扑结构;仿真;信号完整性1.引言DDR3提供了相较于DDR2更高...
DDR3的设计有着严格等长要求,归结起来分为两类(以64位的DDR3为例): 数据 (DQ,DQS,DQM):组内等长,误差控制在20MIL以内,组间不需要考虑等长;地址、控制、时钟信号:地址、控制信号以时钟作参考,误差控制在100MIL以内,Address、Control与CLK归为一组,因为Address、Control是以CLK的下降沿触发的由DDR控制器输出,DDR...