外置MOS的DC-DC降压芯片的热功耗计算,其实主要涉及芯片的工作效率、输入电压、输出电压、输出电流以及MOS管的特性等。简单来说,热功耗就是芯片在工作过程中产生的热量,它等于输入功率与输出功率之差。 输入功率是输入电压与输入电流的乘积。 输出功率则是输出电压与输出电流的乘积。 热功耗就是输入功率减去输出功率,再...
而芯片的功耗:U*I=(Uout-Uin)*Iout。 假如我们使用一个降压芯片LM7805输入12V,输出5V/1A,那么芯片的功耗就是(12V-5V)*1A=7W。其实这个7W的功率相当于一个小型的电烙铁了。 当芯片温度小于60摄氏度时是安全的,在90到120摄氏度时就处于危险状态,在达到120摄氏度时就会被损坏。 二、什么是DC-DC? DC-DC...
从ROMA的官网上，知道同步降压电路的损耗是由六部分组成的，分别是：Pmos是场效应管导通损耗，Psw是场效应管开关损耗，Pdead_time是死区时间损耗，PGATE是MOSFET的栅极电荷损耗，PCOIL是输出电感的DCR、直流电阻带来的传导损耗，PIC是开关电源芯片自身消化的功率。根据ROMA对其电源芯片的实测可知，场效应管开关损耗在整个...
与MOSFET功耗计算不同,采用平均电流即可得到比较准确的功耗计算结果,因为二极管损耗与I成正比,而不是I2。 显然,MOSFET或二极管的导通时间越长,传导损耗也越大。对于降压型转换器,输出电压越低,二极管产生的功耗也越大,因为它处于导通状态的时间越长。 开关动态损耗 由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的,很难估算...
两者之间没有关联计算。 以内置MOS降压芯片距离,首先你需要确认最大duty来确认最大输出电压,然后根据开关电流限制,确认最大输出电流。 即可得到最大输出功率。 然后再确认在这种条件下芯片的功耗,乘以热阻是否满足芯片结温范围,当然一般要求温度尽量低一点好,可靠度会更高。
与MOSFET功率计算不同,平均电流为二极管损耗提供了相当准确的结果,因为损耗与I成正比,而不是I2。 很明显,MOSFET 或二极管在每个开关间隔内保持导通的时间越长,该器件的导通损耗就越大。对于降压转换器,输出电压越低,二极管对功率损耗的影响就越大,因为它导通的开关间隔更长。
DC-DC内部功耗计算 下载积分: 300 内容提示: 影响开关模式、 DC-DC 转换器效率的主要原因(转) 2010-04-07 16: 55 影响开关模式、 DC-DC 转换器效率的主要因, 本文详细介绍了开关电源(SMPS) 中各个元器件损耗的计算和预测技术, 并讨论了提高开关调节器效率的相关技术和特点。 概述 效率是任何开关电源(SMPS...
DC/DC芯片主要是通过反馈电压与内部基准电压的的比较，从而调节MOS管驱动波形的占空比，来保证输出电压的稳定。由于二极管导通时至少存在0.3V的压降，因此续流二极管D所消耗的功率将会称为DC/DC电源主要功耗，从而严重限制了效率的提高。为解决该问题，以导通电阻极小的MOS管取代续流二极管。通过控制器同时控制开关管和...
DC-DC开关电源的效率是指输出功率比上输入功率,是影响整机功耗的重要指标,计算公式如下: 我们希望效率越高越好,这样整体的损耗就越低,对于笔记本电脑或者手机来说,可以获得更长的续航。一般来说,由于存在各种损耗,效率是无法达到100%的,DC-DC开关电源的损耗主要来源为: ...