以内置MOS降压芯片距离,首先你需要确认最大duty来确认最大输出电压,然后根据开关电流限制,确认最大输出电流。 即可得到最大输出功率。 然后再确认在这种条件下芯片的功耗,乘以热阻是否满足芯片结温范围,当然一般要求温度尽量低一点好,可靠度会更高。 daw y 7 年多前 Guru 22315 points 如果是集成MOS管的IC,都会...
CS5518T,低功耗,单电感,升降压IC,采用DFN2*2-8L封装,最大电流输出1.6A, DC-DC芯片，工作电压范围：3V-5V，静态电流小于8μA，基准电压0.6V,95%的最高效率 IU5528,低功耗大电流升降压IC,采用DFN3*3_10L封装。工作电压范围：1.8-5V,静态电流：8μA，可调输出电压范围1.2-5V，最大输出电流2.6A，基...
DC/DC芯片主要是通过反馈电压与内部基准电压的的比较，从而调节MOS管驱动波形的占空比，来保证输出电压的稳定。由于二极管导通时至少存在0.3V的压降，因此续流二极管D所消耗的功率将会称为DC/DC电源主要功耗，从而严重限制了效率的提高。为解决该问题，以导通电阻极小的MOS管取代续流二极管。通过控制器同时控制开关管和...
第一,高性能DC/DC是厂商追求的目标市场,部分厂商已经开始为客户提供车规级DC/DC芯片送样,运用汽车应用的高门槛构建市场壁垒,其中一些厂商甚至已经通过在汽车市场销售DC/DC芯片而获得收益,为其业绩做出贡献。 第二,电源管理芯片是电子设备必不可少的组成部分,市场需求波动较小,因此相关厂商的订单能力都具有可持续性,...
PC6703 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现 6~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率1 ~10W 的隔离电源。 PC6703 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET,并组成桥式连接方式。芯片内部...
既然它的内部是一个滑动变阻器,那么就注定了它的发热量比较大,至少是比DC-DC芯片发热量大,因为DC-DC内部是一个“开关”。 LDO为什么会发热? LDO线性稳压器它的内部既然相当于一个滑动变阻器,输入和输出的压差损耗全部被电阻转化成热能给消耗了,当然会发热。而芯片的功耗:U*I=(Uout-Uin)*Iout。
内置软启动计时器的芯片 上海晶丰明源的DC-DC芯片BPD60312支持者也非常多,它是一款集成同步降压转换器,支持2.7V~16V的输入电压,输出支持12A直流负载。芯片采用了低静态电流方案,在轻负荷下节省功耗。为了满足不同的应用要求,芯片允许用户调整MODE引脚对地电阻来设置开关频率,CCM/DCM模式选项和内部LDO输出。SENSE+ 和SE...
当EN/DIM拉低到GND超过40ms,芯片自动进入休眠模式以降低功耗,此时待机电流<2uA,当EN/DIM端口拉高以后芯片重新启动。EN/DIM管脚不能悬空,不使用时应与VIN管脚短接在一起。芯片的输出电流通过IFB端口电阻来设定。支持过温降电流和输出过压保护。 特性 支持100:1调光比...
根据ROMA对其电源芯片的实测可知，场效应管开关损耗在整个损耗中占比是最大的，这个是由于在场效应开启过程存在电压和电流的重叠区，产生较大的功耗。场效应管如果在米勒平台停留的实际越长，产生的开关损耗也越大。下图的MOS管开关过程通过仿真很容易出现：从仿真可以看出，MOS管的Vds和电流Id在mile平台处重叠，会...