特性:整流桥 工作结温:-50℃~150℃ 包装方式:500/盒;5000/箱 DB307S的电性参数:正向电流3A;反向电压1000V ASEMI品牌贴片整流桥堆RS210主要应用于:电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用。
这意味着DB307S能够满足一般家用电器、电动工具等的电流需求,具有较强的承载能力,能够稳定输出电流。 3. 峰值浪涌电流:最大峰值浪涌电流为80A。这意味着DB307S具有较强的抗干扰能力,能够应对电路负载突变带来的冲击,保证电路的稳定性和可靠性。 4. 低反向漏电流:最大反向漏电流仅为5μA。这确保了整流桥的高效能...
封装 SOP-4/DB-S 批号 新批号 数量 125000 配置类型 整流桥 正向电流(If) 3000 正向电压(Vf) 标准 峰值反向电压 1000V 最大浪涌电流 标准 平均整流电流(Io) 标准 尺寸 1 工作温度范围 -55℃~+150℃ 安装类型 表面贴装型 可售卖地 全国 型号 DB307S 由于电子行业产品价格跌宕起伏,链接上...
DB307S在DBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是72MIL,是一款贴片整流桥。DB307S的浪涌电流Ifsm为80A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DB307S采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。DB307S的电性参数是:正向电流(Io)为3A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,其中有4条引线。
DB307S在DBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是72MIL,是一款贴片整流桥。DB307S的浪涌电流Ifsm为80A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DB307S采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。DB307S的电性参数是:正向电流(Io)为3A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,其中有4条引线。
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佳讯电子,整流桥, DB307S,3A 1000V ,DBS封装 所在地 广东省东莞市万江街道油新大路8号139室 联系电话 0769-22302199 手机 18922939508 经理 叶友庆 请说明来自顺企网,优惠更多 请卖家联系我 JiaxundzGD 详细介绍 基本信息 型号含义:DB 表示扁桥系列,3 代表电流规格为 3A,07 表示反向耐压值为 1000V,S表示...
DB307S在DBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是72MIL,是一款贴片整流桥。DB307S的浪涌电流Ifsm为80A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DB307S采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。DB307S的电性参数是:正向电流(Io)为3A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,其中有4条引线。
DB307S是一种常见的整流桥二极管,广泛应用于电力系统和功率转换领域,特别是在需要高效电流整流的场合。 一、应用场景 1.电源:DB307S广泛应用于电源,可将交流电转换为稳定的直流电,为电子设备供电。高反向电压和良好的电流容量使其适用于各种电压。需要适配器。
DB307S-ASEMI整流桥DB307S 品牌:ASEMI 封装:DBS-4 正向电流:3A 反向电压:1000V 引脚数量:4 芯片个数:4 芯片尺寸:50MIL 漏电流:>10ua 恢复时间:ns 浪涌电流:80A 芯片材质:GPP硅芯片 正向电压:1.1V 封装尺寸:如图 特性:整流桥 工作结温:-50℃~150℃ ...