6.本发明在此的目的在于提供一种低cgd和rsp的n沟道sgt mosfet结构,该结构在确保降低比导通电阻rsp的前提下,降低栅漏电容cgd。 7.为此,本发明提供的低cgd和rsp的n沟道sgt mosfet结构在总槽深不变的情况下,增加栅多晶硅所占深度,减少源多晶硅所占深度,拓宽电子导通通道从而降低器件比电阻rsp;再引入厚度呈阶梯式变化...
本发明公开了一种低Cgd和Rsp的N沟道SGT MOSFET结构及其制造方法,该结构在总槽深不变的情况下,增加栅多晶硅所占深度,减少源多晶硅所占深度,拓宽电子导通通道从而降低器件比电阻Rsp;再引入厚度呈阶梯式变化的栅氧来降低因增加栅多晶硅所占深度,减少源多晶硅所占深度所带来的弥勒电容Cgd增大的负面影响.本发明提供的SGT...
布洛芬缓释胶囊(爱侬康),布洛芬缓释胶囊,布洛芬缓释胶囊(爱侬康)价格,布洛芬缓释胶囊(爱侬康)功效,珠海润都制药股份有限公司,ai用药说明书,功效:用于缓解轻至中度疼痛如头痛、关节痛、偏头痛、牙痛、肌肉痛、神经痛、痛经。也用于普通感冒或流行性感冒引起的发热。
一种低Cgd和Rsp的N沟道SGTMOSFET结构及其制造方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种低Cgd和Rsp的N沟道SGTMOSFET结构及其制造方法说明:本发明公开了一种低Cgd和Rsp的N沟道SGT MOSFET结构及其制造方法,该结构在总槽深不变的情...专利查询请上爱企查