基底上的界面能级匹配、薄膜生长和分子取向。 研究发现C8 BTBT 分子竖直生 长在MoS 2 上,生长过程中界面的真空能级(VL)、最高占据态轨道(HOMO)和电离能(IP)都出现了非常规的 弯曲现象。 这种能级弯曲行为可归因于直立分子从界面相到体相的转变过程中,其分子倾斜角(θ)存在一定 的渐变,这种渐变会在沿表面法线方...
研究发现C8-BTBT分子竖直生长在MoS2上,生长过程中界面的真空能级( VL)、最高占据态轨道( HOMO)和电离能( IP)都出现了非常规的弯曲现象。这种能级弯曲行为可归因于直立分子从界面相到体相的转变过程中,其分子倾斜角(θ)存在一定的渐变,这种渐变会在沿表面法线方向诱导出一系列的层间电偶极,最终导致能级...