基底上的界面能级匹配、薄膜生长和分子取向。 研究发现C8 BTBT 分子竖直生 长在MoS 2 上,生长过程中界面的真空能级(VL)、最高占据态轨道(HOMO)和电离能(IP)都出现了非常规的 弯曲现象。 这种能级弯曲行为可归因于直立分子从界面相到体相的转变过程中,其分子倾斜角(θ)存在一定 的渐变,这种渐变会在沿表面法线方...
（1-3）3、波尔兹曼输运理论：在波尔兹曼输运理论中，公式（1-2）中的n J → 和公式（1-3）中的p J →可以被描述成关于载流子浓度和电子及空穴的准费米势的两个方程。 n n n J q n µφ=−∇ （1-4） 1()(,,)n n n n n J U G F n p t q →→∂=∇⋅−−=Ψ∂...